[实用新型]面阵离子存储系统无效

专利信息
申请号: 200720190921.4 申请日: 2007-12-27
公开(公告)号: CN201134410Y 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 李元景;陈志强;张清军;彭华;代主得;毛绍基;林德旭 申请(专利权)人: 同方威视技术股份有限公司;清华大学
主分类号: H01J49/00 分类号: H01J49/00;H01J49/42;B01D59/00;B01D59/44;G01N27/64
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王波波
地址: 100084北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 离子 存储系统
【权利要求书】:

1、一种面阵离子存储系统,包括:

离子产生部分(1);

其特征在于还包括:离子存储部分(2),包括:

与离子产生部分(1)电连接的第一端电极(6),形成为具有多个孔;

第二端电极(10),形成为具有多个孔;

中间电极(8),形成为具有多个孔;

第一绝缘体(7),形成为环状,夹在第一端电极(6)和中间电极(8)之间,且使得二者绝缘;

第二绝缘体(9),形成为环状,夹在中间电极(8)和第二端电极(10)之间,且使得二者绝缘。

2、如权利要求1所述的面阵离子存储系统,其特征在于所述中间电极(8)的孔的直径D1是两端电极间距L2的1到2倍。

3、如权利要求2所述的面阵离子存储系统,其特征在于D1=2L2.]]>

4、如权利要求1所述的面阵离子存储系统,其特征在于所述离子产生部分(1)包括以下至少之一:镍63、电晕放电源、激光、紫外光、X射线。

5、如权利要求1所述的面阵离子存储系统,其特征在于所述离子产生部分(1)和所述第一端电极(6)上施加第一电压,所述中间电极(8)上施加第二电压,而所述第二端电极(10)上施加固定电压。

6、如权利要求5所述的面阵离子存储系统,其特征在于还包括与所述第二端电极(10)间隔开设置的多个环电极(3),其中所述多个环电极(3)上施加均匀变化的电压。

7、如权利要求5所述的面阵离子存储系统,其特征在于所述第一电压和第二电压能够浮动并且它们之间存在电压差。

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