[实用新型]串联式背电极光电转换装置

权利要求书

1、一种串联式背电极光电转换装置，该装置表面层表面和/或底面为平面或非平坦结构形状，装置表面层表面或覆有减反射膜层，其特征在于：该装置表面层上无电极、表面层下至少设有：缓冲层，含至少一个P-N结的、能带隙大于等于1.42eV的光吸收上区，含至少一个P电极和/或集电栅、至少一个N电极和/或集电栅以及透明绝缘隔层的电隔区，含至少一个P-N结的、能带隙大于等于0.67eV的光吸收下区，过渡层，P或N型区的集电栅和/或电极。

2、根据权利要求1所述的串联式背电极光电转换装置，其特征在于：所述的减反射膜层的厚度为10～200纳米。

3、根据权利要求1所述的串联式背电极光电转换装置，其特征在于：所述的缓冲层是单层或多层膜；其厚度为10～300纳米。

4、根据权利要求1所述的串联式背电极光电转换装置，其特征在于：所述的光吸收上区或光吸收下区的厚度为10纳米～20微米，P型区或N型区的宽度为10纳米～100毫米。

5、根据权利要求1所述的串联式背电极光电转换装置，其特征在于：所述的电隔区厚度为10纳米～20微米。

6、根据权利要求1所述的串联式背电极光电转换装置，其特征在于：所述的过渡层是单层或多层膜；其厚度为10～200纳米。

7、根据权利要求1所述的串联式背电极光电转换装置，其特征在于：所述的P或N型区的集电栅或电极的厚度小于等于P型区或N型区的宽度。

8、根据权利要求1所述的串联式背电极光电转换装置，其特征在于：所述的表面层的厚度为0.05微米～5毫米。

9、根据权利要求1或4所述的串联式背电极光电转换装置，其特征在于：所述的电隔区和光吸收下区之间进而包括至少一个含至少一个P-N结的、能带隙小于1.42eV但大于0.67eV的光吸收区，至少一个含至少一个P电极、至少一个N电极和/或透明绝缘隔层的电隔区。