[实用新型]用于多弧离子镀设备的靶座无效
| 申请号: | 200720011930.2 | 申请日: | 2007-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN201033800Y | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
| 发明(设计)人: | 郭强;张利鹏;王闯;郭文英;张钧 | 申请(专利权)人: | 沈阳大学 |
| 主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32 |
| 代理公司: | 沈阳东大专利代理有限公司 | 代理人: | 戚羽 |
| 地址: | 110044辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 离子镀 设备 | ||
技术领域:本实用新型涉及一种靶座,特别是用于多弧离子镀设备的附件。
背景技术:目前,多弧离子镀靶大多采用多个单元素靶相互组合来沉积合金膜或合金反应膜。由于这种方法对膜的成分影响较大,人们一直努力寻求改进方法,其中较为常用的就是采用镶嵌靶,即将单一成分的靶中间大孔,再将其他合金丝镶嵌于孔中。这种结构的靶改进了分立靶对膜的成分影响,但由于不同金属蒸发的难易程度不同,必将导致靶面的不均匀烧蚀,使靶材成分的不稳定,不利于控制膜层成分。更进一步的改进方法是使用合金靶,对于成分较为简单的一些合金,比如TiAl、TiZr合金,已经取得了良好的应用。但是许多合金材料由于机械加工困难、导热性差等原因很难直接作为阴极弧源靶在多弧离子镀设备上应用,其中尤为突出的问题是机械加工困难,许多合金既硬又脆,很难加工螺纹,这样就无法固定在镀膜机上,造成合金材料作为阴极弧源靶应用的主要障碍。
发明内容:本实用新型的目的是提供一种用于多弧离子镀设备的靶座,合金靶材通过该靶座可方便地固定在镀膜机上并改善了合金靶的导热性。
本实用新型的技术方案是:用于多弧离子镀设备的靶座为圆柱体,靶座的上端有一凹槽,靶座的中部设有若干个螺纹孔,靶座的下部有螺纹。
该靶座采用易加工且导热性能好的铜或其他合金制成,镀膜时将靶材的下端落座在靶座的凹槽里,用螺钉通过靶座中部的螺纹孔将靶材固定,靶座通过其下部的螺纹与法兰连接,法兰在固定在镀膜机上,这样,解决了靶材加工螺纹困难的问题,同时也保证了良好的导热性。
附图说明:
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为图1A-A向剖视图;
图3为靶材安装在镀膜机的结构示意图。
附图中的部件标号为:1为靶座,2为凹槽,3为螺纹孔,4为螺纹,5为靶材,6为法兰。
具体实施方式:见图1和图2,用于多弧离子镀设备的靶座1为圆柱体,靶座1的上端有一凹槽2,靶座1的中部设有若干个螺纹孔3,靶座1的下部有螺纹4。本例中该靶座1采用易加工且导热性能好的铜合金制成。见图3,镀膜时将靶材5的下端落座在靶座1的凹槽2里,用螺钉(也可用铆钉)通过靶座1中部的螺纹孔3将靶材5固定,靶座1通过其下部的螺纹4与法兰6连接,法兰6在固定在镀膜机上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳大学,未经沈阳大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720011930.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示设备、显示设备的驱动方法和电子设备
- 下一篇:烯烃聚合用的催化剂组分
- 同类专利
- 专利分类





