[发明专利]钎焊接合部、电子部件、半导体器件和电子部件的制造方法无效
| 申请号: | 200710305405.6 | 申请日: | 2007-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN101211885A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
| 发明(设计)人: | 横林政人;樽井克行 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钎焊 接合部 电子 部件 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种电子部件,包括具有平坦的基准表面的电极,该电极具有用于实施钎焊接合的钎焊接合部,该电子部件的特征在于:
上述钎焊接合部具有相对上述基准表面凹陷的凹部;
在上述凹部的表面上层叠有至少一层金属层;
在上述金属层被钎焊接合时形成于上述金属层的表面部的锡合金层与上述金属层之间的界面的位置偏离包括上述基准表面的平面。
2.一种电子部件,包括具有平坦的基准表面的电极,该电极具有用于实施钎焊接合的钎焊接合部,该电子部件的特征在于:
上述钎焊接合部具有相对上述基准表面凹陷的凹部;
在上述凹部的表面上层叠有金属层,该金属层是自上述凹部的表面起依次层叠第一金属层、第二金属层而构成的金属层;
在上述金属层被钎焊接合时第一金属层与第二金属层之间的界面的位置偏离包括上述基准表面的平面。
3.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于:
上述金属层被设置得高于上述基准表面,并且,上述金属层的表面被设置在上述凹部之外。
4.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于:
上述金属层被设置得低于上述基准表面,并且,上述金属层的表面被设置在上述凹部内。
5.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于:
上述锡合金层与上述金属层之间的界面偏离包括上述基准表面的平面2μm以上。
6.根据权利要求2所述的电子部件,其特征在于:
上述第一金属层和第二金属层之间的界面偏离包括上述基准表面的平面2μm以上。
7.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于:
上述金属层是自上述凹部的表面起依次层叠第一金属层、第二金属层而构成的金属层。
8.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于:
上述金属层是含有镍的金属层。
9.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于:
上述金属层是含有金的金属层。
10.根据权利要求2所述的电子部件,其特征在于:
上述第一金属层是含有镍的金属层,上述第二金属层是含有金的金属层。
11.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于:
上述电极由铜或铜合金形成。
12.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于:
上述电子部件是电路基板。
13.根据权利要求12所述的电子部件,其特征在于:
在上述电路基板的正面和反面具有上述钎焊接合部。
14.根据权利要求12所述的电子部件,其特征在于:
在上述电路基板的钎焊接合部具有通过钎焊接合的外部连接端子。
15.一种半导体器件,其特征在于:
在权利要求1~4中的任一项所述的电子部件的钎焊接合部钎焊接合有半导体元件。
16.一种钎焊接合部,被设置在具有平坦的基准表面的电极上,其特征在于:
具有相对上述基准表面凹陷的凹部;
在上述凹部的表面上层叠至少一层金属层;
在上述金属层被钎焊接合时形成于上述金属层的表面部的锡合金层与上述金属层之间的界面的位置偏离包括上述基准表面的平面。
17.一种钎焊接合部,被设置在具有平坦的基准表面的电极上,其特征在于:
具有相对上述基准表面凹陷的凹部;
在上述凹部的表面上层叠有金属层,该金属层是自上述凹部的表面起依次层叠第一金属层、第二金属层而构成的金属层;
在上述金属层被钎焊接合时第一金属层与第二金属层之间的界面的位置偏离包括上述基准表面的平面。
18.根据权利要求16所述的钎焊接合部,其特征在于:
上述金属层是含有镍的金属层。
19.根据权利要求17所述的钎焊接合部,其特征在于:
上述第一金属层是含有镍的金属层,上述第二金属层是含有金的金属层。
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