[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种显示装置及其制造方法，更具体地说，涉及一种防止由金属基板引起的寄生电容的显示装置及其制造方法。

背景技术

通常，薄膜晶体管(下文中称为“TFT”)被用于有源矩阵型平板显示器。有源矩阵型平板显示器包括由在基板上彼此交叉的多个选通线和多个数据线限定的多个像素。每个像素是由连接到选通线和数据线的TFT来提供电信号。包含TFT的平板显示器的例子是液晶显示(LCD)器、有机发光二极管(OLED)和电泳显示器。

图1是例示根据现有技术的平板显示器的TFT阵列基板的剖面图。参照图1，TFT阵列基板包括形成在基板1上的多个像素。每个像素由彼此交叉的选通线和数据线(未示出)限定，其中每个像素包括薄膜晶体管TFT、像素电极13和存储电容器Cst。响应于来自选通线的选通电压，薄膜晶体管TFT使像素电极13用来自数据线的数据电压充电。存储电容器Cst保持像素电极13中充入的数据电压。

薄膜晶体管TFT包括连接到选通线的栅极3；连接到数据线的源极9；连接到像素电极13的漏极10；以及与源极9和漏极10欧姆接触的半导体图案8。半导体图案8由有源层6和欧姆接触层7构成。有源层6与栅极3交叠为其间插入栅极绝缘膜5的状态，其中在源极9和漏极10之间暴露出有源层6，由此形成半导体沟道。此外，在源极9和有源层6之间以及在漏极10和有源层6之间交叠欧姆接触层7，以使源极9和漏极10与有源层6欧姆接触。薄膜晶体管TFT被保护膜11保护。保护膜11包括用于暴露出漏极10的接触孔12。通过接触孔12，像素电极13被连接到漏极10。

存储电容器Cst由像素电极13构成，其中像素电极13与存储线4交叠为其间插入栅极绝缘膜5和保护膜11的状态。

如上所述，用于支持像素阵列的基板1通常由玻璃制成。玻璃的耐用性差并在厚度上受到限制。在这方面，玻璃的基板可能会限制显示装置的薄外形。最近，基板1由具有良好耐用性的金属形成，且容易实现薄外形。金属基板1可以实现柔性显示装置，该柔性显示装置即使在显示装置弯曲的情况下，也保持显示功能。此外，由于金属基板1是导体，在金属基板1的整个表面上形成有基板绝缘膜2，以使金属基板1与像素阵列绝缘。但是，在基板绝缘膜2上的金属基板1以及信号线3和4之间产生寄生电容C1和C2。寄生电容C1和C2可能使数据电压失真。

发明内容

因此，本发明致力于一种显示装置及其制造方法，其基本上消除了由于现有技术的局限性和缺点而导致的一个或更多个问题。

本发明的一个目的是提供一种防止由金属基板引起的寄生电容的显示装置及其制造方法。

本发明的其他优点、目的以及特征将在随后的说明中部分地进行阐述，并且在由本领域的普通技术人员研究了下面的内容后将部分地变得清楚，或者可以通过实施本发明而获知。本发明的这些目的和其他优点可以通过在说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。

为了实现这些目的和其他优点并根据本发明的目的，并且根据这里所具体体现和广泛描述的发明宗旨，提供了一种显示装置，该显示装置包括：金属基板，所述金属基板包括设有多个存储线以提供存储电压的像素阵列以及连接到所述存储线的电源线；以及电压源，所述电压源连接到所述电源线用于产生存储电压，其中所述金属基板连接到所述电压源的输出端子、所述电源线和所述存储线中的任意一个。

同时，该像素阵列包括：与所述存储线分开的选通线，以及连接到所述选通线的薄膜晶体管的栅极；在所述薄膜晶体管的区域内与所述栅极交叠的半导体图案；在所述半导体图案上与所述选通线交叉的数据线，薄膜晶体管的连接到所述数据线的源极，以及薄膜晶体管的漏极；以及像素电极，其与所述存储线交叠并连接到薄膜晶体管的所述漏极。

在另一方面中，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：位于金属基板上的第一绝缘膜；穿过所述第一绝缘膜以暴露出所述金属基板的第一接触孔；以及通过所述第一接触孔连接到所述金属基板并形成在所述第一绝缘膜上的存储线。

在另一方面中，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：除金属基板边缘之外的金属基板的像素阵列区上的第一绝缘膜；提供有存储电压并形成在所述像素阵列区外部的金属基板边缘中的电源线；以及多个存储线，所述多个存储线连接到所述电源线并形成在所述第一绝缘膜上，用于将所述存储电压提供到所述像素阵列区。

在另一方面中，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：金属基板，其包括提供有存储电压的像素阵列；用于产生所述存储电压的电压源；以及导电电缆，其连接到所述金属基板和所述电压源的一输出端子。