[发明专利]氮化物半导体元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体元件，它是在具有多层氮化物半导体层的n侧区域和具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间具有有源层的氮化物半导体元件，其特征在于：

上述n侧区域的至少一层氮化物半导体层具有将含In的第一氮化物半导体膜和具有与该第一氮化物半导体膜不同组成的第二氮化物半导体膜层叠而成的n侧多层膜层，并且，上述第一氮化物半导体膜或上述第二氮化物半导体膜中的至少一方的膜厚为100或以下。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体元件，其特征在于，上述第一氮化物半导体膜由In_xGa_1-xN(0＜x＜1)组成，上述第二氮化物半导体膜由In_yGa_1-yN(0≤y＜1、y＜x)组成。

3.如权利要求1或2所述的氮化物半导体元件，其特征在于，上述第一氮化物半导体膜或上述第二氮化物半导体膜中的至少一方的膜厚，在相邻近的第一氮化物半导体膜之间或相邻近的第二氮化物半导体膜之间互不相同。

4.如权利要求1或2所述的氮化物半导体元件，其特征在于，上述第一氮化物半导体膜或上述第二氮化物半导体膜中的至少一方的III族元素的组成，在相邻近的第一氮化物半导体膜之间或相邻近的第二氮化物半导体膜之间相同的III族元素的组成之间互不相同。

5.如权利要求1或2任何一项所述的氮化物半导体元件，其特征在于，上述n侧多层膜层与有源层相接而形成。

6.如权利要求1～3中任何一项所述的氮化物半导体元件，其特征在于，上述第一氮化物半导体膜和第二氮化物半导体膜都是非掺杂的。

7.如权利要求1～3中任何一项所述的氮化物半导体元件，其特征在于，在上述第一氮化物半导体膜或第二氮化物半导体膜的任意一方掺杂有n型杂质。

8.如权利要求1～3中任何一项所述的氮化物半导体元件，其特征在于，在上述第一氮化物半导体膜和第二氮化物半导体膜两者之中都掺杂有n型杂质。

9.如权利要求1～3中任何一项所述的氮化物半导体元件，其中，在上述n侧区域内，具有含有n型杂质的n侧接触层，在该n侧接触层和上述有源层之间具有上述n侧多层膜。

10.如权利要求9所述的氮化物半导体元件，其特征在于，在上述n侧接触层和上述n侧多层膜之间，具有非掺杂的GaN层。

11.如权利要求1～3中任何一项所述的氮化物半导体元件，其特征在于，作为上述p侧区域的氮化物半导体层，具有将含Al的第三氮化物半导体膜和具有与该第三氮化物半导体膜不同组成的第四氮化物半导体膜层叠而成的p侧多层膜层，并且，上述第三氮化物半导体膜和上述第四氮化物半导体膜中的至少一方的膜厚为100或以下。

12.如权利要求11所述的氮化物半导体元件，其特征在于，上述第三氮化物半导体膜由Al_aGa_1-aN(0＜a≤1)组成，上述第四氮化物半导体膜由In_bGa_1-bN(0≤b＜1、b＜a)组成。

13.如权利要求12所述的氮化物半导体元件，其特征在于，上述第三氮化物半导体膜或上述第四氮化物半导体膜中的至少一方的膜厚，在相邻近的第三氮化物半导体膜之间或相邻近的第四氮化物半导体膜之间互不相同。

14.如权利要求1～3中任何一项所述的氮化物半导体元件，其特征在于：

上述p侧区域的至少一层氮化物半导体层是由含有p型杂质的Al_bGa_1-bN(0≤b≤1)构成的p侧单层膜包覆层；

上述有源层是由In_aGa_1-aN(0≤a＜1)构成的多量子阱结构。