[发明专利]固体摄像装置及其制造方法和照相机

权利要求书

1.一种固体摄像装置，其是在受光面集成多个像素而构成的固体摄像装置，其特征在于，具有：

光电二极管，其在成为半导体衬底的所述受光面的像素区域被每个所述像素划分形成；

信号读取部，其在所述半导体衬底上形成，并且读取在所述光电二极管上生成并存储的信号电荷或根据所述信号电荷产生的电压；

绝缘膜，其覆盖所述光电二极管且形成于所述半导体衬底之上；

凹部，其在所述光电二极管的上方部分形成于所述绝缘膜；

焊盘电极，其在焊盘电极区域形成于所述绝缘膜上层；

钝化膜，其覆盖所述凹部的内壁且在比所述焊盘电极更上层形成，并且具有比氧化硅高的折射率；以及

埋入层，其在所述钝化膜的上层埋入于所述凹部形成，并且具有比氧化硅高的折射率。

2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于：所述绝缘膜中埋入有布线层。

3.如权利要求2所述的固体摄像装置，其特征在于：所述绝缘膜含有所述布线层的防止扩散膜而形成，所述防止扩散膜构成所述凹部的底面。

4.如权利要求2所述的固体摄像装置，其特征在于：在所述绝缘膜中，所述布线层形成网状，以包围所述凹部的周围。

5.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于：在与所述半导体衬底的主面平行的截面中的所述凹部的形状是相对所述形状的外侧总是凸出的角形状和/或仅具有曲线的形状。

6.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于：所述钝化膜是氮化硅膜。

7.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于：所述埋入层是树脂层。

8.如权利要求7所述的固体摄像装置，其特征在于：所述埋入层含有硅氧烷类树脂。

9.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于：所述凹部的边缘部形成为越向上方就越扩展的正锥状的开口形状。

10.一种固体摄像装置，其是在受光面集成多个像素而构成的固体摄像装置，其特征在于，具有：

光电二极管，其在成为半导体衬底的所述受光面的像素区域被每个所述像素划分形成；

信号读取部，其在所述半导体衬底形成，并且读取在所述光电二极管上生成并存储的信号电荷或根据所述信号电荷产生的电压；

绝缘膜，其覆盖所述光电二极管且形成于所述半导体衬底之上；

凹部，其在所述光电二极管的上方部分形成于所述绝缘膜；以及

埋入层，其埋入所述凹部形成，并且含有比TiO分散有机树脂具有更高的耐热性的无机物和金属氧化物。

11.如权利要求10所述的固体摄像装置，其特征在于：所述无机物是氧化硅。

12.如权利要求10所述的固体摄像装置，其特征在于：所述金属氧化物是氧化钛、氧化钽、氧化铌、氧化钨、氧化锆、氧化锌、氧化铟、氧化铪。

13.一种固体摄像装置的制造方法，其是在受光面集成多个像素而构成的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，具有：

在成为半导体衬底的所述受光面的像素区域形成被每个所述像素划分的光电二极管和读取在所述光电二极管上生成并存储的信号电荷或根据所述信号电荷产生的电压的信号读取部的工序；

覆盖所述光电二极管且在所述半导体衬底上形成绝缘膜的工序；

在所述光电二极管的上方部分的所述绝缘膜上形成凹部的工序；

在焊盘电极区域的所述绝缘膜的上层形成焊盘电极的工序；

在覆盖所述凹部的内壁且在比所述焊盘电极更上层形成比氧化硅具有高的折射率的钝化膜的工序；以及

在所述钝化膜的上层埋入所述凹部而形成比氧化硅具有高的折射率的埋入层的工序。

14.如权利要求13所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于：形成所述绝缘膜的工序的途中还具有形成布线层的工序，在所述绝缘膜中埋入形成布线层。

15.如权利要求14所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于：形成所述绝缘膜的工序具有形成所述布线层的防止扩散膜的工序，在形成所述凹部的工序中形成所述凹部，以使所述防止扩散膜构成所述凹部的底面。