[发明专利]多电平可变电阻存储装置及其驱动方法

权利要求书

1.一种驱动写数据值到多电平可变电阻存储装置的方法，该方法包括：

将写电流施加到可变电阻存储单元，以改变可变电阻存储单元的实际电阻；

验证实际电阻是否驻留在与写数据值相关联的预期的电阻窗中并产生验证结果；以及

根据验证结果改变写电流量，并再次施加写电流到可变电阻存储单元。

2.如权利要求1所述的方法，其中电阻窗的限定与第一参考电阻和第二参考电阻相关。

3.如权利要求2所述的方法，其中当实际电阻小于由验证结果所示的第一参考电阻时，增加写电流量。

4.如权利要求3所述的方法，其中增加写电流量包括增加写电流的幅度。

5.如权利要求3所述的方法，其中增加写电流量包括增加写电流的脉冲宽度。

6.如权利要求2所述的方法，其中当实际电阻大于由验证结果所示的第二参考电阻时，减小写电流量。

7.如权利要求6所述的方法，其中减小写电流量包括减小写电流的幅度。

8.如权利要求6所述的方法，其中减小写电流量包括减小写电流的脉冲宽度。

9.如权利要求2所述的方法，还包括：

重复施加写电流、验证实际电阻、改变写电流量和再施加写电流，直到验证结果指示实际电阻驻留在由第一参考电阻和第二参考电阻限定的预期的电阻窗内。

10.如权利要求9所述的方法，其中对于写电流量的变化的改变幅度经过多次重复逐渐减少。

11.如权利要求9所述的方法，其中当验证结果指示实际电阻驻留在预期的电阻窗内时，重复的次数停止。

12.如权利要求1所述的方法，其中可变电阻存储单元存储两位数据。

13.如权利要求1所述的方法，其中可变电阻存储单元是相变存储单元。

14.一种多电平可变电阻存储装置，包括：

存储单元阵列，其包括可变电阻存储单元；

验证读出放大器，其验证可变电阻存储单元的实际电阻是否驻留在预期的电阻窗内，并产生验证结果；

写控制电路，其提供控制信号以基于验证结果增加或减小施加到可变电阻存储单元的写电流量；以及

写驱动器，其提供写电流给可变电阻存储单元，并且响应于控制信号增加或减少写电流量。

15.如权利要求14所述的多电平可变电阻存储装置，其中预期的电阻窗由第一参考电阻和第二参考电阻限定。

16.如权利要求15所述的多电平可变电阻存储装置，其中当实际电阻小于由验证结果所示的第一参考电阻时，写驱动器增加写电流量。

17.如权利要求15所述的多电平可变电阻存储装置，其中当实际电阻大于由验证结果所示的第二参考电阻时，写驱动器减小写电流量。

18.如权利要求15所述的多电平可变电阻存储装置，其中验证读出放大器包括：

第一读出放大器，其使用对应第一参考电阻的第一参考电压，读出可变电阻存储单元的实际电阻；以及

第二读出放大器，其使用对应第二参考电阻的第二参考电压，读出可变电阻存储单元的实际电阻。

19.如权利要求14所述的多电平可变电阻存储装置，其中写驱动器通过一系列写循环，将写电流提供给可变电阻存储单元，并且写电流的增加或减小的量经过一系列写循环逐渐减小。

20.如权利要求14所述的多电平可变电阻存储装置，其中当实际电阻驻留在由验证结果所示的预期的电阻窗内时，写驱动器不继续提供写电流给可变电阻存储单元。

21.如权利要求14所述的多电平可变电阻存储装置，其中可变电阻存储单元存储两位数据。

22.如权利要求14所述的多电平可变电阻存储装置，其中可变电阻存储单元是相变存储单元。