[发明专利]闪存器件及其制造方法

权利要求书

1.一种方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上方形成包括隧道氧化膜、浮栅、介电薄膜以及控制栅的栅极区域；

靠着所述栅极区域的侧壁形成具有多层绝缘薄膜结构的隔离垫薄膜；

通过在所述隔离垫薄膜上执行整个表面蚀刻形成隔离垫图案；

去除沉积在所述隔离垫图案的最外部分的绝缘薄膜；以及，随后

在其上形成所述栅极区域和隔离垫的所述半导体衬底上方形成层间绝缘薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，应用湿蚀刻法除去沉积在所述多层绝缘薄膜的最外部分的所述绝缘薄膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述湿蚀刻法中应用BHF溶液作为蚀刻溶液。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离垫薄膜的形成包括相继沉积第一氧化膜、氮化膜以及第二氧化膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一氧化膜包括TEOS。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二氧化膜包括TEOS。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氮化膜包括SiN。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一氧化膜的厚度在大约150至300之间。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述氮化膜的厚度在大约100至300之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二氧化膜的厚度在大约500至800之间。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括，在去除沉积于所述隔离垫图案的最外部分的绝缘薄膜之前，应用所述隔离垫图案和所述栅极区域作为掩膜，通过离子注入工艺形成源极/漏极区域。

12.一种设备，其特征在于，包括：

半导体衬底；

形成于所述半导体衬底上方的栅极区域，该栅极区域包括：隧道氧化膜、浮栅、介电薄膜以及控制栅；

隔离垫薄膜包括形成于所述栅极区域的侧壁上的下部隔离垫薄膜和上部隔离垫薄膜；以及

在所述栅极区域和所述隔离垫上方形成层间绝缘薄膜。

13.根据权利要求12所述的设备，其特征在于，所述下部隔离垫薄膜包括氧化膜。

14.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述上部隔离垫薄膜包括氮化膜。

15.根据权利要求14所述的设备，其特征在于，所述氧化膜包括TEOS。

16.根据权利要求15所述的设备，其特征在于，所述氮化膜包括SiN。

17.根据权利要求16所述的设备，其特征在于，所述第一氧化膜的厚度在大约150至300之间。

18.根据权利要求17所述的设备，其特征在于，所述氮化膜的厚度在大约100至300之间。

19.根据权利要求12所述的设备，其特征在于，所述层间绝缘薄膜包括金属前介质材料。

20.根据权利要求19所述的设备，其特征在于，所述金属前介质材料包括至少一个磷掺杂硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃以及等离子增强TEOS。