[发明专利]光工具以及阻焊图案的形成方法有效
| 申请号: | 200710187256.8 | 申请日: | 2007-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN101183212A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
| 发明(设计)人: | 柴崎阳子;加藤贤治;有马圣夫 | 申请(专利权)人: | 太阳油墨制造株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/004;G03F7/00;H05K3/00 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 工具 以及 图案 形成 方法 | ||
技术领域
本发明涉及印刷电路板的阻焊图案形成时的曝光处理技术。
背景技术
通常,印刷电路板在其最外层形成有阻焊层。该阻焊层是经过如下工序形成的,即,在形成有布线电路的基材上涂布感光性组合物,插入光掩模对所得到的涂膜进行选择性曝光,将未曝光部分显影而形成图案,然后通过加热使其热固化。
在这种阻焊层的形成中,作为光掩模的原材料,使用聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜、玻璃。其中,PET薄膜廉价并有柔软性,另外可使300nm以上的紫外线区域的光透过90%以上且可对感光性组合物照射足够量的紫外线,因此,被广泛用作光掩模(例如,参照专利文献1)。
然而,在着色体系且需要厚膜(~100μm左右)固化的印刷电路板用阻焊膜中,由于使用了在紫外线区域300~400nm有大的吸收的酞菁蓝这样的颜料,因此使难得透过了光掩模的300~400nm的光不能有效地发挥作用,在细线、厚膜中易产生晕影、底切,并且分辨性上存在问题。
另外,因作为被加工基材的形成有电路的基板而异,其电路厚也大不相同,为25μm~105μm,抗蚀剂的膜厚根据情况,有时也有很大不同。在这种情况下,就存在这样的问题,即,同一抗蚀剂难以得到同样的抗蚀剂形状。针对于此,以前,在膜厚厚的情况下,为了得到更深的固化深度,用比平常更高的曝光量进行照射。但是,在这种对策中,出现了产生表层部有晕影、线宽变得比设计值宽、通孔直径变得比设计值小这样的很多不合适的问题。另一方面,按低的曝光量原样的话,得不到充分的固化深度,出现了产生底切的问题。
因此,作为被用于印刷电路板中的抗蚀图案,要求一种可形成厚膜且高精细的图案的技术。
专利文献1:日本特开平9-230580号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的目的在于提供阻焊膜的曝光处理技术,其可以不受阻焊层的膜厚、蓝色颜料的影响,重现性好地形成高分辨率的抗蚀图案。
另外,本发明的另一目的在于,提供使用上述曝光处理技术得到的阻焊图案和印刷电路板。
用于解决问题的方法
本发明人们为了解决上述问题进行深入研究,并着眼于调节光源的光波长的相对强度,结果发现,通过使用用于将曝光光的波长的相对强度最优化的具有特定的光吸收性质的薄膜,可达到上述目的,从而完成了本发明。
即,本发明的光工具(Photo-tool),其特征在于,其被用于阻焊膜的图案形成中的曝光处理中、并具备光掩模,其中该光掩模的抗蚀剂面一侧具备薄膜,所述薄膜将370nm以下的光切断50%以上并且使400nm以上的光透过80%以上。
在此,上述薄膜可以是热塑性薄膜(例如,聚萘二甲酸乙二酯),在这种情况下,该热塑性薄膜可含有紫外线吸收剂。或者,上述薄膜可由热塑性薄膜和层压在该热塑性薄膜上的含有紫外线吸收剂的层构成。
本发明的阻焊膜的图案形成方法,作为一个形态,其特征在于,插入上述的光工具对由感光性组合物的干燥膜形成的阻焊膜进行选择性曝光,将未曝光部分显影而形成图案,然后通过加热使其热固化而得到固化膜。
作为另一形态,本发明的阻焊膜的图案形成方法是插入光掩模对由感光性组合物的干燥膜形成的阻焊膜进行选择性曝光,将未曝光部分显影而形成图案,然后通过加热使其热固化而得到固化膜的阻焊图案的形成方法,其特征在于,在产生曝光光的光源与光掩模之间插入薄膜,所述薄膜将370nm以下的光切断50%以上并且使400nm以上的光透过80%以上。
在此,上述薄膜可以是热塑性薄膜(例如,聚萘二甲酸乙二酯),在这种情况下,该热塑性薄膜可含有紫外线吸收剂。或者,上述薄膜可由热塑性薄膜和层压在该热塑性薄膜上的含有紫外线吸收剂的层构成。
在这样的本发明的阻焊膜的图案形成方法中,前述阻焊膜可由可碱显影的感光性组合物形成或由具有可碱显影的感光性组合物的涂膜的干膜形成。
前述感光性组合物可以是其干燥涂膜在波长405nm下的吸光度为每25μm膜厚为0.2~1.2的感光性组合物。
另外,上述感光性组合物可含有选自下组中的1种或2种以上光聚合引发剂:包含后述通式(I)表示的结构部分的肟酯系光聚合引发剂、包含通式(II)表示的结构部分的氨基苯乙酮系光聚合引发剂、包含通式(III)表示的结构部分的酰基氧化膦系光聚合引发剂、以及通式(IV)表示的二茂钛系光聚合引发剂。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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