[发明专利]电路基板及其制造方法

权利要求书

1.一种电路基板，供配置至少一个电子工作元件，发散该工作元件运行时所产生的热能，并对该电子工作元件提供电性绝缘条件，该电路基板包括：

基材层，包含配置面以及散热面；

第一阳极处理层，覆设于该配置面，借以配置该电子工作元件；

第二阳极处理层，覆设于该散热面；

导热绝缘层，覆设于该第二阳极处理层，借以传导该热能；以及

类钻层，覆设于该导热绝缘层，借以发散该热能；

其中，该基材层的热膨胀系数大于该第二阳极处理层的热膨胀系数，该第二阳极处理层的热膨胀系数大于该导热绝缘层的热膨胀系数，且该导热绝缘层的热膨胀系数大于该类钻层的热膨胀系数。

2.如权利要求1所述的电路基板，其中，该第一阳极处理层还设置印刷电路，以供配置该电子工作元件。

3.如权利要求1所述的电路基板，其中，该基材层是由铝合金与铜合金其中之一构成的。

4.如权利要求1所述的电路基板，其中，该第二阳极处理层是由金属的金属氧化物构成的，借以提供该电性绝缘条件。

5.如权利要求4所述的电路基板，其中，该金属为铝，该金属氧化物为氧化铝。

6.如权利要求4所述的电路基板，其中，该导热绝缘层为该金属的金属氮化物。

7.如权利要求6所述的电路基板，其中，该金属为铝，该金属氮化物为氮化铝。

8.如权利要求1所述的电路基板，其中，该导热绝缘层是由氧化铍、碳化硅、氮化硅与氮化硼其中之一构成的。

9.如权利要求1所述的电路基板，其中，该类钻层为DLC散热鳍片组件。

10.一种电路基板的制造方法，用以制作权利要求1所述的电路基板，并且该制造方法包含以下步骤：

步骤a，制备该基材层；

步骤b，在该基材层的该配置面与该散热面分别进行阳极处理处理，借以分别形成该第一阳极处理层与该第二阳极处理层；

步骤c，在该第二阳极处理层上形成该导热绝缘层；以及

步骤d，在该导热绝缘层上形成该类钻层；

其中，该第二阳极处理层的导热系数小于该导热绝缘层的导热系数，且该导热绝缘层的导热系数小于该类钻层的导热系数。

11.如权利要求10所述的电路基板的制造方法，其中，在该步骤d后，还包含步骤f：在该类钻层上进行光学蚀刻处理，借以使该类钻层成为DLC散热鳍片组件。

12.如权利要求10所述的电路基板的制造方法，其中，该导热绝缘层是在该第二阳极处理层上进行真空溅镀处理、化学气相沉积处理与离子注入处理其中之一而形成的。

13.如权利要求10所述的电路基板的制造方法，其中，该导热绝缘层是在该第二阳极处理层上进行等离子体气相沉积处理而形成的。

14.如权利要求10所述的电路基板的制造方法，其中，该类钻层是在该导热绝缘层上进行PVD处理与CVD处理其中之一而形成的。

15.如权利要求10所述的电路基板的制造方法，其中，该类钻层是在该导热绝缘层上进行等离子体辅助化学气相沉积处理而形成的。

16.如权利要求10所述的电路基板的制造方法，其中，该基材层是由铝合金与铜合金其中之一构成的。

17.如权利要求10所述的电路基板的制造方法，其中，该第二阳极处理层是由金属的金属氧化物构成的。

18.如权利要求17所述的电路基板的制造方法，其中，该金属为铝，该金属氧化物为氧化铝。

19.如权利要求17所述的电路基板的制造方法，其中，该导热绝缘层为该金属的金属氮化物。

20.如权利要求19所述的电路基板的制造方法，其中，该金属为铝，该金属氮化物为氮化铝。

21.如权利要求10所述的电路基板的制造方法，其中，该导热绝缘层是由氧化铍、碳化硅、氮化硅与氮化硼其中之一构成的。