[发明专利]磁头悬架组件和存储介质驱动器无效
| 申请号: | 200710182373.5 | 申请日: | 2007-10-18 |
| 公开(公告)号: | CN101211565A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
| 发明(设计)人: | 久岛大昌;渡边徹 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
| 主分类号: | G11B5/48 | 分类号: | G11B5/48 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 党晓林 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁头 悬架 组件 存储 介质 驱动器 | ||
1.一种磁头悬架组件,该磁头悬架组件包括:
具有第一热膨胀系数的支撑体;
具有与所述第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数的磁头滑动器,该磁头滑动器具有接收在所述支撑体上的后表面,该磁头滑动器具有与存储介质相对的前表面;
第一接合构件,该第一接合构件将所述支撑体的表面连接到所述磁头滑动器的第一端面,该第一端面在所述磁头滑动器的一端从所述支撑体的表面直立;以及
第二接合构件,该第二接合构件将所述支撑体的表面连接到所述磁头滑动器的第二端面,该第二端面在所述磁头滑动器的相反端从所述支撑体的表面直立,其中
确立在所述第一接合构件与所述第一端面之间的第一接合表面的形心位于中性面与所述磁头滑动器的所述前表面之间的范围内,所述中性面在所述磁头滑动器变形而使所述前表面凸起或凹入时确立。
2.根据权利要求1所述的磁头悬架组件,其中,确立在所述第二接合构件与所述第二端面之间的第二接合表面的形心位于所述中性面与所述后表面之间的范围内。
3.根据权利要求2所述的磁头悬架组件,其中,所述中性面与所述第一接合表面的形心之间的距离设定为等于所述中性面与所述第二接合表面的形心之间的距离。
4.根据权利要求1所述的磁头悬架组件,其中,所述第一接合表面的形心位于所述中性面内。
5.根据权利要求4所述的磁头悬架组件,其中,确立在所述第二接合构件与所述第二端面之间的第二接合表面的形心位于所述中性面与所述后表面之间的范围内。
6.根据权利要求4所述的磁头悬架组件,其中,确立在所述第二接合构件与所述第二端面之间的第二接合表面的形心位于所述中性面内。
7.一种存储介质驱动器,该存储介质驱动器包括:
壳体;
在所述壳体中结合到支撑轴用于相对旋转的支架;
限定在所述支架中的支撑体,该支撑体具有第一热膨胀系数;
具有与所述第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数的磁头滑动器,该磁头滑动器具有接收在所述支撑体上的后表面,该磁头滑动器具有与存储介质相对的前表面;
第一接合构件,该第一接合构件将所述支撑体的表面连接到第一端面,该第一端面在所述磁头滑动器的一端从所述支撑体的表面直立;以及
第二接合构件,该第二接合构件将所述支撑体的表面连接到第二端面,该第二端面在所述磁头滑动器的相反端从所述支撑体的表面直立,其中
确立在所述第一接合构件与所述第一端面之间的第一接合表面的形心位于中性面与所述磁头滑动器的所述前表面之间的范围内,所述中性面在所述磁头滑动器变形而使所述前表面凸起或凹入时确立。
8.根据权利要求7所述的存储介质驱动器,其中,确立在所述第二接合构件与所述第二端面之间的第二接合表面的形心位于所述中性面与所述后表面之间的范围内。
9.根据权利要求8所述的存储介质驱动器,其中,所述中性面与所述第一接合表面的形心之间的距离设定为等于所述中性面与所述第二接合表面的形心之间的距离。
10.根据权利要求7所述的存储介质驱动器,其中,所述第一接合表面的形心位于所述中性面内。
11.根据权利要求10所述的存储介质驱动器,其中,确立在所述第二接合构件与所述第二端面之间的第二接合表面的形心位于所述中性面与所述后表面之间的范围内。
12.根据权利要求10所述的存储介质驱动器,其中,确立在所述第二接合构件与所述第二端面之间的第二接合表面的形心位于所述中性面内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710182373.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





