[发明专利]像素结构的制作方法

说明书

技术领域

本发明是涉及一种像素结构的制作方法，且特别是涉及一种使用激光剥离工艺(laser ablation process)制作像素结构的制作方法。

背景技术

显示器为人与信息的沟通界面，目前以平面显示器为主要发展的趋势。平面显示器主要有以下几种：有机电激发光显示器(organicelectroluminescence display)、等离子体显示器(plasma display panel)以及薄膜晶体管液晶显示器等(thin film transistor liquid crystal display)，其中又以薄膜晶体管液晶显示器的应用最为广泛。一般而言，薄膜晶体管液晶显示器主要由薄膜晶体管阵列基板(thin film transistor array substrate)、彩色滤光阵列基板(color filter substrate)和液晶层(liquid crystal layer)所构成，其中薄膜晶体管阵列基板包括多条扫描线(scan lines)、多条数据线(data lines)以及多个阵列排列的像素结构(pixel unit)，且各个像素结构分别与对应的扫描线及数据线电性连接。

图1A至图1G为公知像素结构的制作方法示意图。请参照图1A，首先提供基板10，并通过第一道光掩模工艺在基板10上形成栅极20。接着，请参照图1B，在基板10上形成栅绝缘层30以覆盖住栅极20。然后，请参照图1C，通过第二道光掩模工艺在栅绝缘层30上形成位于栅极20上方的沟道层40。一般而言，沟道层40的材料为非晶硅(amorphous silicon)。之后，请参照图1D，通过第三道光掩模工艺在沟道层40的部分区域以及栅绝缘层30的部分区域上形成源极50以及漏极60。由图1D可知，源极50与漏极60分别由沟道层40的两侧延伸至栅绝缘层30上，并暴露出沟道层40的部分区域。接着，请参照图1E，在基板10上形成保护层70以覆盖栅绝缘层30、沟道层40、源极50以及漏极60。然后，请参照图1F，通过第四道光掩模工艺将保护层70图案化，以在保护层70中形成接触孔H。由图1F可知，保护层70中的接触孔H会暴露出漏极60的部分区域。之后，请参照图1G，通过第五道光掩模工艺在保护层70上形成像素电极80，由图1G可知，像素电极80会通过接触孔H与漏极60电性连接。在像素电极80制作完成之后，便完成了像素结构90的制作。

承上述，公知的像素结构90主要是通过五道光掩模工艺来进行制作，换言之，像素结构90需采用五个具有不同图案的光掩模(mask)来进行制作。

由于光掩模的造价十分昂贵，且每道光掩模工艺皆须使用到具有不同图案的光掩模，因此，若无法缩减光掩模工艺的数目，前述公知像素结构的制造成本将无法降低。此外，随着薄膜晶体管液晶显示面板的尺寸日益增加，用来制作薄膜晶体管阵列基板的光掩模尺寸也会随之增加，而大尺寸的光掩模在造价上将更为昂贵，使得公知像素结构的制造成本无法有效地降低。

发明内容

本发明关于一种像素结构的制作方法，其适于降低像素结构的制作成本。

为具体描述本发明的内容，在此提出一种像素结构的制作方法，其先提供基板，并形成第一导电层于基板上。接着，提供第一掩模于第一导电层上方，且第一掩模暴露出部分的第一导电层。使用激光经由第一掩模照射第一导电层，以移除第一掩模所暴露的部分第一导电层，而形成栅极。之后，形成栅绝缘层于基板上，以覆盖栅极，并形成半导体层于栅绝缘层上。接着，提供第二掩模于半导体层上方，且第二掩模暴露出部分的半导体层。使用激光经由第二掩模照射半导体层，以移除第二掩模所暴露的部分半导体层，而形成沟道层。继之，形成第二导电层于沟道层以及栅绝缘层上。接着，提供第三掩模于第二导电层上方，且第三掩模暴露出部分的第二导电层。使用激光经由第三掩模照射第二导电层，以在栅极两侧的沟道层上形成源极以及漏极，其中栅极、沟道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。之后，形成保护层于栅绝缘层与薄膜晶体管上，并提供第四掩模于保护层上方，且第四掩模暴露出部分的保护层。使用激光经由第四掩模照射保护层，以在保护层中形成将漏极暴露的接触开口。之后，形成第三导电层以覆盖保护层，并提供第五掩模于第三导电层上方，且第五掩模暴露出部分的第三导电层。使用激光经由第五掩模照射第三导电层，以使剩余的第三导电层形成像素电极，其中像素电极通过接触开口连接至漏极。