[发明专利]一种可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种可编程非易失性存储器单元，包括晶体管，其特征在于，还包括与晶体管连接的电容器；

所述电容器由金属层、接触孔、阻挡层和有源区依次连接形成；其中，所述阻挡层为该电容器的介质层。

2.根据权利要求1所述的可编程非易失性存储器单元，其特征在于，所述阻挡层在预定电压作用下被击穿，通过所述阻挡层在击穿和未击穿两种状态下产生的不同电阻值进行数据存储。

3.根据权利要求1或2所述的可编程非易失性存储器单元，其特征在于，所述阻挡层为金属硅化物阻挡层。

4.根据权利要求1所述的可编程非易失性存储器单元，其特征在于，所述晶体管包括栅极、源极和漏极，所述电容器与所述晶体管的漏极串联连接。

5.一种可编程非易失性存储器单元的制造方法，其特征在于，

提供金属层、接触孔、阻挡层、有源区和晶体管；

其特征在于，

依次连接金属层、接触孔、阻挡层、有源区形成电容器，将阻挡层作为该电容器的介质层；

将所述晶体管与所述电容器连接。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述晶体管包括栅极、源极和漏极，将所述电容器与所述晶体管的漏极串联连接。

7.一种可编程非易失性存储器阵列，其特征在于，包括字线、位线、源线以及位于字线、位线和源线之间的多个存储器单元；其中，

所述存储单元中的晶体管的栅极与字线连接；

所述存储单元中的晶体管的漏极与电容器串联连接至位线上；

所述存储单元中的晶体管的源极与源线连接；

所述电容器由金属层、接触孔、阻挡层和有源区依次连接形成。

8.根据权利要求7所述的可编程非易失性存储器阵列，其特征在于，所述阻挡层在预定电压作用下被击穿，通过所述阻挡层在未击穿和击穿两种状态下产生的不同电阻值进行数据存储。

9.一种可编程非易失性存储器阵列的制造方法，包括：

提供金属层、接触孔、阻挡层、多根多晶硅和包括有源区的衬底，多根多晶硅与包括有源区的衬底形成多个包括栅极、漏极和源极的晶体管；

其特征在于，

多个晶体管的源极形成多条源线；

多根多晶硅形成多条字线；

金属层中的多根金属线形成多条位线；

依次连接金属层、接触孔、阻挡层、有源区形成电容器，其中，阻挡层作为该电容器的介质层；

将多个所述晶体管与所述电容器对应连接形成存储单元排布在与存储单元对应的字线、位线和源线之间。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层在预定电压作用下被击穿，通过所述阻挡层在未击穿和击穿两种状态下产生的不同电阻值进行数据存储。