[发明专利]一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法

权利要求书

1.一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，其特征在于，该方法包括：

局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入¹⁴N⁺；

漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；

光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；

注入金属杂质，该金属杂质为镱Yb；

淀积金属镍Ni，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅；

选择去除未反应的金属镍Ni。

2.根据权利要求1所述的调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，其特征在于，所述局部氧化隔离或浅槽隔离的步骤中，氧化温度为1000℃，隔离层厚度为3000至

所述注入前氧化的步骤中，氧化厚度为100至

所述注入¹⁴N⁺的步骤中，注入条件为：注入能量为10至30Kev，注入剂量为1×10¹⁴至6×10¹⁴cm^-2。

3.根据权利要求1所述的调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，其特征在于，所述漂净注入前氧化膜的步骤中，采用体积比为H₂O∶HF＝9∶1的溶液进行漂洗，然后采用3^#腐蚀液清洗10分钟，1^#腐蚀液清洗5分钟，HF/异丙醇IPA溶液室温下浸渍5分钟；该3^#腐蚀液是体积比为5∶1的H₂SO₄与H₂O₂溶液；该1^#腐蚀液是体积比为0.8∶1∶5的NH₄OH+H₂O₂+H₂O溶液；氢氟酸/异丙醇/水是体积比为百分之0.2至0.7∶百分之0.01至0.04∶1的HF+IPA+H₂O溶液。

4.根据权利要求1所述的调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，其特征在于，所述栅氧化并沉积多晶硅的步骤中，栅氧化的厚度为15至沉积多晶硅采用低压化学气相淀积LPCVD方法，沉积的多晶硅的厚度为1000至

5.根据权利要求1所述的调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，其特征在于，所述在光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极之前进一步包括：

去背面多晶硅，并漂净背面氧化层，然后进行背面注入，注入杂质³¹P，注入能量为50至100Kev，注入剂量为3×10¹⁵至6×10¹⁵cm^-2。

6.根据权利要求1所述的调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，其特征在于，所述在光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极的步骤包括：

采用厚度为1.5微米的9918胶作为掩模进行光刻，采用反应离子刻蚀多晶硅，将场区内多晶硅刻蚀干净，形成多晶硅栅电极。

7.根据权利要求1所述的调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，其特征在于，所述注入金属杂质镱Yb的步骤中，是将金属杂质镱Yb注入多晶硅栅内，注入能量为50至150Kev，注入剂量为1×10¹⁵至1×10¹⁶cm^-2。

8.根据权利要求1所述的调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，其特征在于，所述淀积金属镍Ni并退火硅化的步骤中，淀积金属镍Ni的厚度为600至退火条件为：温度500至580℃，时间30至60秒。

9.根据权利要求1所述的调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，其特征在于，所述选择去除未反应的金属镍Ni的步骤中，采用3^#腐蚀液进行腐蚀去除，该3^#腐蚀液为体积比5∶1的H₂SO₄与H₂O₂溶液，腐蚀时间为20至30分钟。