[发明专利]X射线平板探测器

说明书

技术领域

本发明涉及平板成像设备，尤其涉及一种用于医疗仪器的X射线平板探测器。

背景技术

目前，数字化X射线照相检测(Digital Radiography，简称DR)技术被广泛应用在医疗仪器上，例如拍摄X射线胸片的X射线机。

数字化X射线照相检测通常指采用电子成像板技术-平板检测器技术(FPD Technique)。其中电子成像板由大量微小的带有薄膜晶体管(TFT)的探测器成阵列排列而成。由于电子转换模式不同，数字化X射线照相检测可以分为间接转换型DR系统(Indirect DR，简称IDR)，其关键部件是获取图像的平板探测器(FPD)，由X线转换层与非晶硅光电二极管、薄膜晶体管、信号储存基本像素单元及信号放大与信号读取等组成。

间接平板探测器的结构为多层结构，主要是由闪烁体(目前主要有碘化铯CsI)或荧光体(硫氧化钆GdSO)层加具有光电二极管作用的非晶硅层(amorphous Silicom，a-Si)再加TFT阵列构成平板检测器。此类平板探测器的闪烁体或荧光体层经X射线曝光后，可以将X射线光子转换为可见光，用二维光电转换装置将可见光转换为电信号，通过薄膜晶体管阵列将每个像素的数字化信号读出并传送到计算机的图像处理系统集成为X射线影像，最后获得数字图像显示。其中，每一个像素单元都具有独立的光电转换装置，但是这种光电转换装置使用了P型非晶硅来阻止电荷由透明电极进入非晶硅光电转换层中，而这种P型非晶硅不能在普通的平板显示器FTF生产线上生产，需要投资和维护特殊的生产线，使得产品成本很难下降，从而使得少数医院能够采购配备这种昂贵的平板探测器的医疗仪器。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的高成本问题，而提供了一种平板探测器，利用绝缘层来替代P型非晶硅，实现将平板探测器的成本降低。

为了实现本发明的目的，本发明提供了一种平板探测器，包括：

薄膜晶体管基板，用于逐行读出电信号的电荷；

像素电极层，设置在所述薄膜晶体管基板上，用于采集电信号的电荷；

N型非晶硅层，设置在所述像素电极层上，用于阻止像素电极上的电荷的离开；

非晶硅层，设置在所述N型非晶硅层，用于进行可见光转换成所述电信号；

绝缘层，设置所述非晶硅层上，用于阻止电荷进入非晶硅层；

透明电极膜，设置在所述绝缘层上，用于施加电压使非晶硅层产生光电效应；以及

光子转换层，设置在所述透明电极上，用于将X射线的能量转换成可见光。

所述非晶硅层的厚度与所述绝缘层的厚度的比例为1∶10至1∶100。

所述非晶硅层为检测到70％以上的可见光的非晶硅层。

所述绝缘层采用氮化硅或树脂。

所述透明电极膜为氧化铟锡镀膜。

所述氧化铟锡镀膜的厚度为1微米。

所述光子转换层为闪烁体层。

本发明提供的这种X射线平板探测器利用绝缘层替代P型非晶硅层，同样实现了光信号转换成电信号，但同时却节约生产成本。因此，本发明能够降低医疗仪器的生产成本，使得具有这种X射线平板探测器的医疗仪器能够被广泛使用，从而降低患者昂贵的医疗费用。

附图说明

图1为本发明X射线平板探测器的剖面图；

图2示出了使用本发明X射线平板探测器进行X射线检查的工作原理。

具体实施方式