[发明专利]X射线平板探测器无效
| 申请号: | 200710177958.8 | 申请日: | 2007-11-22 |
| 公开(公告)号: | CN101159283A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
| 发明(设计)人: | 赵玮 | 申请(专利权)人: | 德润特数字影像科技(北京)有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市德权律师事务所 | 代理人: | 吴涛 |
| 地址: | 100080北京市海淀区丹棱*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 射线 平板 探测器 | ||
1.一种X射线平板探测器,其特征在于,包括:
薄膜晶体管基板,用于逐行读出电信号的电荷;
像素电极层,设置在所述薄膜晶体管基板上,用于采集电信号的电荷;
N型非晶硅层,设置在所述像素电极层上,用于阻止像素电极上的电荷的减少;
非晶硅层,设置在所述N型非晶硅层,用于进行可见光转换成所述电信号;
绝缘层,设置所述非晶硅层上,用于阻止电荷进入非晶硅层;
透明电极膜,设置在所述绝缘层上,用于施加电压使非晶硅层产生光电效应;以及
光子转换层,设置在所述透明电极上,用于将X射线的能量转换成可见光。
2.根据权利要求1所述的X射线平板探测器,其特征在于所述非晶硅层的厚度与所述绝缘层的厚度的比例为1∶10至1∶100。
3.根据权利要求1或2所述的X射线平板探测器,其特征在于所述非晶硅层为检测到70%以上的可见光的非晶硅层。
4.根据权利要求1或2所述的X射线平板探测器,其特征在于所述绝缘层采用氮化硅或树脂。
5.根据权利要求1或2所述的X射线平板探测器,其特征在于所述透明电极膜为氧化铟锡镀膜。
6.根据权利要求4所述的X射线平板探测器,其特征在于所述氧化铟锡镀膜的厚度为1微米。
7.根据权利要求1或2或4所述的X射线平板探测器,其特征在于所述光子转换层为闪烁体层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





