[发明专利]静电卡盘无效
| 申请号： | 200710176233.7 | 申请日： | 2007-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101419929A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 彭宇霖 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 | ||
1、一种静电卡盘，包括基座，所述基座的上方设有绝缘层，其特征在于，所述的基座上设有多条氦气分布沟道，所述绝缘层上设有多个氦气孔，所述氦气孔与所述氦气分布沟道相通。
2、根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述的多个氦气孔在所述绝缘层上沿以绝缘层的中心为圆心的多圈圆周分布。
3、根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述的多圈氦气孔中，最外圈氦气孔沿圆周的分布密度大于等于其它各圈氦气孔沿圆周的分布密度。
4、根据权利要求3所述的静电卡盘，其特征在于，所述的多圈氦气孔中，最外圈氦气孔沿圆周的分布密度为其它各圈氦气孔沿圆周的分布密度的1—2倍。
5、根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述的多个氦气孔在所述绝缘层上均匀分布。
6、根据权利要求5所述的静电卡盘，其特征在于，所述的多个氦气孔在所述绝缘层上呈蜂窝状分布。
7、根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述的氦气分布沟道包括多个区域，每个区域分别设有单独的氦气输入通道。
8、根据权利要求7所述的静电卡盘，其特征在于，所述的氦气分布沟道包括中部区域和边缘区域，所述边缘区域对应的绝缘层上分布有至少一圈氦气孔。
9、根据权利要求1至7任一项所述的静电卡盘，其特征在于，所述的氦气孔的直径为0.8—1.2毫米，所述氦气分布沟道的宽度为所述氦气孔的直径的2—3倍。
10、根据权利要求1至7任一项所述的静电卡盘，其特征在于，所述的基座与绝缘层之间设有氦气分布板，所述多条氦气分布沟道设于所述基座与氦气分布板之间，所述氦气分布板上对应于每个所述氦气孔的位置设有通孔，使所述氦气孔与所述氦气分布沟道相通。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
