[发明专利]半导体衬底、半导体衬底的制备方法及三维封装方法

权利要求书

1.一种制备半导体衬底的方法，所述半导体衬底包括器件层、位于器件层 下方的绝缘层，以及位于绝缘层下方的支撑衬底和位于支撑衬底中的剥离层， 其特征在于，包括如下步骤：

提供支撑衬底和器件衬底；

在支撑衬底和器件衬底中的一个或者两个衬底的表面制作绝缘层；

在支撑衬底中进行离子注入，将改性离子注入支撑衬底，在支撑衬底中形 成剥离层；

在器件衬底中进行离子注入，将改性离子和活化离子注入器件衬底中，在 器件衬底中形成活化层；

将器件衬底和支撑衬底键合；

退火，器件衬底在活化层的位置发生剥离，形成保留在支撑衬底和绝缘层 上的器件层；

对器件层的表面做抛光处理。

2.根据权利要求1所述的制备半导体衬底的方法，其特征在于，所述改性 离子为氢。

3.根据权利要求2所述的制备半导体衬底的方法，其特征在于，所述活化 离子为氦、硼或其组合。

4.根据权利要求3所述的制备半导体衬底的方法，其特征在于，所述退火 的温度为300℃到1400℃，时间为0.5小时至15小时，在含氧气氛中进行。

5.根据权利要求1所述的制备半导体衬底的方法，其特征在于，所述支撑 衬底和器件衬底的材料为单晶硅。

6.根据权利要求1所述的制备半导体衬底的方法，其特征在于，所述抛光 处理的方法为化学机械抛光。

7.一种制备半导体衬底的方法，所述半导体衬底包括器件层、位于器件层 下方的绝缘层，以及位于绝缘层下方的支撑衬底和位于半导体衬底中的剥离 层，其特征在于，包括如下步骤：

提供支撑衬底和器件衬底，所述支撑衬底表面具有剥离层；

在器件衬底表面制作活化层；

在活化层表面制作器件层；

在剥离层和器件层中的一个或者两个的表面制作绝缘层；

将器件衬底和支撑衬底键合；

采用水力切割的方法，将器件衬底在活化层的位置剥离，形成保留在支撑 衬底和绝缘层上的器件层；

对器件层的表面做抛光处理。

8.根据权利要求7所述的制备半导体衬底的方法，其特征在于，所述支撑 衬底、器件衬底和器件层的材料为单晶硅。

9.根据权利要求8所述的制备半导体衬底的方法，其特征在于，所述制作 剥离层和活化层的方法为阳极氧化法。

10.根据权利要求9所述的制备半导体衬底的方法，其特征在于，所述 阳极氧化采用的腐蚀液为HF和C₂H₅COOH的混合溶液，采用的电流密度为 1mA/cm²至20mA/cm²，阳极氧化的时间为1min至30min。

11.根据权利要求7所述的制备半导体衬底的方法，其特征在于，所述 在活化层表面制作器件层的方法为化学气相外延法。

12.根据权利要求7所述的制备半导体衬底的方法，其特征在于，所述 抛光处理的方法为化学机械抛光。