[发明专利]使用十字型烃类化合物形成无定形碳层和形成低K值介电层的方法无效

专利信息
申请号: 200710170372.9 申请日: 2007-11-15
公开(公告)号: CN101435073A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 金京洙;裵根鹤;金昊植 申请(专利权)人: 韩商奥拓股份有限公司
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/452
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 王达佐;韩克飞
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 使用 字型 化合物 形成 无定形碳 值介电层 方法
【权利要求书】:

1.形成用于硬掩模的无定形碳层的方法,其包括:

步骤(a),蒸发含有烃类化合物的前体,所述烃类化合物的构型方 式为一对官能团与指定的碳原子结合,所述指定的碳原子为包含N(等 于或大于3的自然数)个直链结合的碳原子的结构中除了第一个和第N 个碳原子的碳原子,其中所述官能团中的至少一个包含甲基(-CH3);

步骤(b),通过花洒向反应室供给所述蒸发的前体和添加的气体 He或Ar,其中将所述前体和所述添加的气体转变为等离子态;以及

步骤(c),在所述反应室中沉积用于硬掩模的无定形碳层。

2.形成用于硬掩模的无定形碳层的方法,其包括:

步骤(a),蒸发含有烃类化合物的前体,所述烃类化合物的构型方 式为一对官能团与一对碳原子结合,所述一对碳原子为包含M(等于 或大于4的自然数)个直链结合的碳原子的结构中除了第一个和第M 个碳原子的碳原子,其中所述官能团中的至少一个包含甲基(-CH3);

步骤(b),通过花洒向反应室供给所述蒸发的前体和添加的气体 He或Ar,其中将所述前体和所述添加的气体转变为等离子态;以及

步骤(c),在所述反应室中沉积用于硬掩模的无定形碳层。

3.形成用于低k值电介质的无定形碳层的方法,其包括:

步骤(a),蒸发含有烃类化合物的前体,所述烃类化合物的构型方 式为一对官能团与指定的碳原子结合,所述指定的碳原子为包含N(等 于或大于3的自然数)个直链结合的碳原子的结构中除了第一个和第N 个碳原子的碳原子,其中所述官能团中的至少一个包含甲基(-CH3);

步骤(b),通过花洒向反应室供给所述蒸发的前体和添加的气体 He或Ar,其中将所述前体和所述添加的气体转变为等离子态;以及

步骤(c),在所述反应室中沉积用于包含交联结构的低k值电介质 的无定形碳层。

4.形成用于低k值电介质的无定形碳层的方法,其包括:

步骤(a),蒸发含有烃类化合物的前体,所述烃类化合物的构型方 式为一对官能团与一对碳原子结合,所述一对碳原子为包含M(等于 或大于4的自然数)个直链结合的碳原子的结构中除了第一个和第M 个碳原子的碳原子,其中所述官能团中的至少一个包含甲基(-CH3);

步骤(b),通过花洒向反应室供给所述蒸发的前体和添加的气体 He或Ar,其中将所述前体和所述添加的气体转变为等离子态;以及

步骤(c),在所述反应室中沉积用于包含交联结构的低k值电介质 的无定形碳层。

5.形成无定形碳层的方法,其包括:

步骤(a),蒸发含有烃类化合物的前体,所述烃类化合物的构型方 式为一对官能团与指定的碳原子结合,所述指定的碳原子为包含N(等 于或大于3的自然数)个直链结合的碳原子的结构中除了第一个和第N 个碳原子的碳原子;

步骤(b),通过花洒向反应室供给所述蒸发的前体和添加的气体, 所述花洒包括用于分别供给所述前体和所述添加的气体的供给部分、 分别散射单独供给的前体和单独供给的添加的气体的散射部分以及具 有多个孔的注入部分,以便通过所述孔共同注入被散射部分分别散射 的所述前体和所述添加的气体,其中将产生等离子体的能量施加于所 述散射部分和所述注入部分中的至少一个;以及

步骤(c),在所述反应室中沉积无定形碳层。

6.如权利要求5所述的方法,其中所述添加的气体包括选自He、 Ar、H2、O2、N2、N2O、NO、烃类化合物CxHy(其中1≤x≤9、4≤y ≤20)、含氮的物质、含氟的物质以及含硅的物质中的至少一种。

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