[发明专利]埋置电容器的印刷电路板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710165521.2 申请日: 2007-10-26
公开(公告)号: CN101170869A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 孙升铉;郑栗教;林成泽;郑炯美 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H05K1/16 分类号: H05K1/16;H05K3/30
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;李丙林
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 电容器 印刷 电路板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造埋置电容器的印刷电路板(PCB)的方法,所述方法包括:

制备包括叠层板的叠层体,所述叠层板在其两个面上具有第一和第二铜膜,在至少一个面上设置至少一个底电极;

在所述至少一个底电极上形成介电层;

在所述介电层的待形成电容器的上表面区域上形成金属层;

在所述金属层的上表面的至少一个区域上形成导电胶层,所述导电胶层和所述金属层被设置作为顶电极;

在所述叠层板的两个面上分别形成绝缘树脂层;以及

在所述绝缘树脂层中形成导电通路以便连接至所述顶电极的所述导电胶层。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述导电胶层的形成包括在所述金属层的上表面的基本上整个区域上形成所述导电胶层。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述顶电极的所述金属层具有约50nm至约300nm范围的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述顶电极的所述金属层包含选自由金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)以及铜(Cu)组成的组的金属。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述顶电极的所述金属层的形成是通过物理沉积法或化学沉积法来实施。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述顶电极的所述导电胶层具有至少约2μm的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述顶电极的所述导电胶层包含Ag或Cu。

8.根据权利要求1所述的方法,进一步包括,在形成所述介电层之前,在所述底电极的上表面上形成第一金属隔离层。

9.根据权利要求1所述的方法,进一步包括,在形成所述顶电极的所述金属层之前,在所述介电层的上表面上形成第二金属隔离层。

10.根据权利要求8或9所述的方法,其中,所述第一和第二金属隔离层中的至少一个包含选自由钽(Ta)、钛(Ti)、铬(Cr)以及镍(Ni)组成的组的金属。

11.根据权利要求8或9所述的方法,其中,所述第一金属隔离层和第二金属隔离层中的至少一个具有约5nm至约100nm范围的厚度。

12.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述绝缘树脂层中形成所述导电通路包括:

使用激光打孔工艺在所述绝缘树脂层中形成通路孔,所述通路孔部分地暴露所述导电胶层;以及

将导电材料施加至所述通路孔以便形成层间电路。

13.根据权利要求1所述的方法,其中,所述底电极是所述叠层板的两个面上的所述第一铜膜和第二铜膜中的至少一个。

14.根据权利要求1所述的方法,其中,所述叠层体包括设置在所述叠层板的一个面上的附加绝缘树脂层,所述底电极形成在所述附加绝缘树脂层上。

15.一种埋置电容器的PCB,包括:

包括叠层板的叠层体,所述叠层板在其两个面上具有第一铜膜和第二铜膜,在至少一个面上设置至少一个底电极;在所述至少一个底电极的上表面上的介电层;

顶电极,包括:采用薄膜沉积法设置在所述介电层上表面的待形成电容器的区域上的金属层,以及在所述金属层的上表面的至少一个区域上的导电胶层;以及

在所述叠层体上的绝缘树脂层,所述绝缘树脂层包括连接至所述顶电极的所述导电胶层上的导电通路。

16.根据权利要求15所述的埋置电容器的PCB,其中,所述导电胶层设置在所述金属层的基本上整个区域上。

17.根据权利要求15所述的埋置电容器的PCB,其中,所述顶电极的所述金属层具有约50nm至约300nm范围的厚度。

18.根据权利要求15所述的埋置电容器的PCB,其中,所述顶电极的所述金属层包含选自由Au、Ag、Pt以及Cu组成的组的金属。

19.根据权利要求15所述的埋置电容器的PCB,其中,所述顶电极的所述导电胶层具有至少约2μm的厚度。

20.根据权利要求15所述的埋置电容器的PCB,其中,所述顶电极的所述导电胶层包括Ag或Cu。

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