[发明专利]钨酸铯闪烁晶体及其制备方法与应用无效

专利信息
申请号: 200710156558.9 申请日: 2007-11-08
公开(公告)号: CN101235545A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 舒康颖;秦来顺;田光磊 申请(专利权)人: 中国计量学院
主分类号: C30B29/32 分类号: C30B29/32;C30B11/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 林怀禹
地址: 310018浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 钨酸铯 闪烁 晶体 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

技术领域

发明涉及闪烁晶体材料,尤其是涉及一种钨酸铯闪烁晶体及其制备方法与应用。

背景技术

闪烁晶体能够探测X射线、γ射线、α粒子等高能射线或粒子,在医疗诊断(X-CT,PET,SPECT等)、安全检查(集装箱检查,行包检查等)、油井勘探(油井探测探头)等领域得到了大量广泛的应用。目前商品化的闪烁晶体很多,但几乎每一种都有比较明显的缺点,因此其应用领域都相对有限。1948年由RobertHofstadter发现的NaI:Tl(掺铊碘化钠)晶体是闪烁晶体领域一个大的突破,该晶体有非常高的光输出,直到现在仍被大量使用。但该晶体发光衰减慢,抗辐照能力差,非常容易潮解,而且该晶体赖以发光的掺杂剂Tl(铊)毒性很大。NaI:Tl闪烁晶体的发现,推动了碱卤化合物系列闪烁晶体的发展,如CsI:Tl(掺铊碘化铯)晶体、CsI:Na(掺钠碘化铯)晶体等等。这些碱卤化合物系列晶体具有与NaI:Tl闪烁晶体类似的优缺点。上世纪90年代发现的Lu2SiO5:Ce(掺铈硅酸镥)晶体是闪烁晶体领域又一重要的发明,该晶体的发光衰减快,抗辐照能力强,但该晶体用贵金属镥为原料,而且熔点高(>2000℃)造成生产耗能大,因此价格非常昂贵,而且发光离子在基质中的分布不均会降低其能量分辨能力,另外Lu有放射性同位素,会产生噪音信号,也是一个缺点。本世纪初发现的LaCl3:Ce(掺铈氯化镧)和LaBr3:Ce(掺铈溴化镧)晶体是最近几年闪烁晶体领域最重要的发现,这两种晶体的光输出都很高,而且发光衰减很快,但却极容易发生潮解和氧化问题,用来制作探测器的成本非常高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种钨酸铯(Cs2W2O7)闪烁晶体及其制备方法与应用。

本发明采用的技术方案是:

一、一种钨酸铯闪烁晶体材料:

其化学组成为Cs2W2O7。所述的Cs2W2O7材料为单晶或多晶。

二、一种Cs2W2O7多晶材料的制备方法,该方法的步骤如下:

纯度为99.9%以上的WO3和Cs2CO3为原料,按照物质摩尔比WO3∶Cs2CO3=2∶1混合后置于铂金坩埚中,再将铂金坩埚放到马福炉中于750~950℃进行反应8~12小时,得到Cs2W2O7多晶料块;

三、一种Cs2W2O7单晶材料的制备方法,该方法的步骤如下:

1把预先制备好的籽晶放入铂金坩埚的底部,再将Cs2W2O7多晶料块装入铂金坩埚中,然后将铂金坩埚包装好,坩埚紧密密封;

2将上述铂金坩埚固定在晶体下降炉里的刚玉引下管上,其位置在晶体下降炉的上部区域即高温区,刚玉引下管与引下机构相连;

3将晶体下降炉的温度升到800~1000℃,保温10~14小时,使铂金坩埚中的Cs2W2O7料块全部熔化同时部分籽晶也熔化;

4缓慢下降引下管,下降速度为1~2mm/h,此时固液界面位于炉子的温度梯度区内,温度梯度为30℃~40℃/cm,随着坩埚的不断下降,逐渐结晶出Cs2W2O7单晶;

5晶体生长完成后,以8~15℃/小时的速度将炉温逐渐降至常温。

四、一种钨酸铯闪烁晶体材料的应用:

钨酸铯闪烁晶体材料在核辐射探测器中的应用。所述的核辐射探测器的应用为X射线或γ射线探测器中的应用。

本发明与背景技术相比,具有的有益效果是:

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