[发明专利]钨酸铯闪烁晶体及其制备方法与应用无效

专利信息
申请号: 200710156558.9 申请日: 2007-11-08
公开(公告)号: CN101235545A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 舒康颖;秦来顺;田光磊 申请(专利权)人: 中国计量学院
主分类号: C30B29/32 分类号: C30B29/32;C30B11/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 林怀禹
地址: 310018浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 钨酸铯 闪烁 晶体 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1、一种钨酸铯闪烁晶体材料,其特征在于:其化学组成为Cs2W2O7

2、根据权利要求1所述的一种钨酸铯闪烁晶体材料,其特征在于:所述的Cs2W2O7材料为单晶或多晶。

3、一种钨酸铯多晶的制备方法,其特征在于该方法的步骤如下:

纯度为99.9%以上的WO3和Cs2CO3为原料,按照物质摩尔比WO3∶Cs2CO3=2∶1混合后置于铂金坩埚中,再置于马福炉中于750~950℃进行反应8~12小时,得到Cs2W2O7多晶料块。

4、一种钨酸铯单晶的制备方法,其特征在于:

1)把预先制备好的籽晶放入铂金坩埚的底部,再将Cs2W2O7多晶料块装入铂金坩埚中,然后将铂金坩埚包装好,坩埚紧密密封;

2)将上述铂金坩埚固定在晶体下降炉里的刚玉引下管上,其位置在晶体下降炉的上部区域即高温区,刚玉引下管与引下机构相连;

3)将晶体下降炉的温度升到800~1000℃,保温10~14小时,使铂金坩埚中的Cs2W2O7料块全部熔化同时部分籽晶也熔化;

4)缓慢下降引下管,下降速度为1~2mm/h,此时固液界面位于晶体下降炉的温度梯度区内,温度梯度为30℃~40℃/cm,随着坩埚的不断下降,逐渐结晶出Cs2W2O7单晶;

5)晶体生长完成后,以8~15℃/小时的速度将晶体下降炉的炉温逐渐降至常温。

5、一种钨酸铯闪烁晶体材料的应用,其特征在于:钨酸铯闪烁晶体材料在核辐射探测器中的应用。

6、根据权利要求5所述的一种钨酸铯闪烁晶体材料的应用,其特征在于:所述的核辐射探测器的应用为X射线或γ射线探测器中的应用。

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