[发明专利]钨酸铯闪烁晶体及其制备方法与应用无效
| 申请号: | 200710156558.9 | 申请日: | 2007-11-08 |
| 公开(公告)号: | CN101235545A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
| 发明(设计)人: | 舒康颖;秦来顺;田光磊 | 申请(专利权)人: | 中国计量学院 |
| 主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B11/00 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 林怀禹 |
| 地址: | 310018浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钨酸铯 闪烁 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
1、一种钨酸铯闪烁晶体材料,其特征在于:其化学组成为Cs2W2O7。
2、根据权利要求1所述的一种钨酸铯闪烁晶体材料,其特征在于:所述的Cs2W2O7材料为单晶或多晶。
3、一种钨酸铯多晶的制备方法,其特征在于该方法的步骤如下:
纯度为99.9%以上的WO3和Cs2CO3为原料,按照物质摩尔比WO3∶Cs2CO3=2∶1混合后置于铂金坩埚中,再置于马福炉中于750~950℃进行反应8~12小时,得到Cs2W2O7多晶料块。
4、一种钨酸铯单晶的制备方法,其特征在于:
1)把预先制备好的籽晶放入铂金坩埚的底部,再将Cs2W2O7多晶料块装入铂金坩埚中,然后将铂金坩埚包装好,坩埚紧密密封;
2)将上述铂金坩埚固定在晶体下降炉里的刚玉引下管上,其位置在晶体下降炉的上部区域即高温区,刚玉引下管与引下机构相连;
3)将晶体下降炉的温度升到800~1000℃,保温10~14小时,使铂金坩埚中的Cs2W2O7料块全部熔化同时部分籽晶也熔化;
4)缓慢下降引下管,下降速度为1~2mm/h,此时固液界面位于晶体下降炉的温度梯度区内,温度梯度为30℃~40℃/cm,随着坩埚的不断下降,逐渐结晶出Cs2W2O7单晶;
5)晶体生长完成后,以8~15℃/小时的速度将晶体下降炉的炉温逐渐降至常温。
5、一种钨酸铯闪烁晶体材料的应用,其特征在于:钨酸铯闪烁晶体材料在核辐射探测器中的应用。
6、根据权利要求5所述的一种钨酸铯闪烁晶体材料的应用,其特征在于:所述的核辐射探测器的应用为X射线或γ射线探测器中的应用。
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