[发明专利]薄膜半导体装置和该薄膜半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200710154784.3 | 申请日： | 2007-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101150057A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 町田晓夫;藤野敏夫;河野正洋 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/22;H01L21/336;H01L29/786;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种薄膜半导体装置的制造方法，其中
在存在n型或p型杂质的情况下以能量束点照射半导体薄膜，以形成浅扩散层，在所述浅扩散层中所述杂质仅在所述半导体薄膜的表面层中扩散。
2.根据权利要求1所述的薄膜半导体装置的制造方法，其中
在所述半导体薄膜上图案化地形成栅电极，栅极绝缘膜位于所述半导体薄膜和所述栅电极之间，且
通过使用所述栅电极作为掩模以所述能量束点照射所述半导体薄膜而形成包括所述浅扩散层的源极/漏极。
3.根据权利要求1所述的薄膜半导体装置的制造方法，其中
在所述杂质附着到所述半导体薄膜的状态下进行所述能量束的点照射。
4.根据权利要求3所述的薄膜半导体装置的制造方法，其中
通过将所述半导体薄膜暴露于其中挥发有含有所述杂质的溶液的气氛中，所述溶液附着到所述半导体薄膜上并被干燥以形成杂质膜，且
从所述杂质膜上方进行所述能量束的点照射。
5.根据权利要求3所述的薄膜半导体装置的制造方法，其中
通过将含所述杂质的溶液施加到所述半导体薄膜上以形成膜并将其干燥而形成所述杂质膜，且
从所述杂质膜上方进行所述能量束的点照射。
6.根据权利要求1所述的薄膜半导体装置的制造方法，其中
在所述半导体薄膜暴露于含所述杂质的气氛的状态下进行所述能量束的点照射。
7.根据权利要求1所述的薄膜半导体装置的制造方法，其中
具有100nm以下的膜厚的半导体薄膜形成为所述半导体薄膜。
8.根据权利要求1所述的薄膜半导体装置的制造方法，其中
具有350nm到470nm波长的激光束用作所述能量束。
9.根据权利要求1所述的薄膜半导体装置的制造方法，其中
在扫描所述半导体薄膜的表面的同时进行所述能量束的点照射。
10.根据权利要求1所述的薄膜半导体装置的制造方法，其中
根据所述能量束的点照射条件来控制其上形成有所述浅扩散层的半导体薄膜的表面层的深度范围。
11.一种薄膜半导体装置，包括：
浅扩散层，在所述浅扩散层中n型或p型杂质仅在形成于基板上的半导体薄膜的表面中扩散。
12.根据权利要求11所述的薄膜半导体装置，还包括：
栅电极，设置在所述半导体薄膜上，栅极绝缘膜位于所述栅电极和所述半导体薄膜之间；
其中所述浅扩散层设置在所述栅电极两侧的半导体薄膜部分中作为源极/漏极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
