[发明专利]基板用除水剂、使用该除水剂的除水方法及干燥方法无效

专利信息
申请号: 200710154730.7 申请日: 2007-09-13
公开(公告)号: CN101144051A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 关裕之 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: C11D7/50 分类号: C11D7/50;F26B5/16;B08B3/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱丹
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 基板用 水剂 使用 方法 干燥
【说明书】:

技术领域

该发明涉及半导体基板或液晶用基板等被处理基板(以下简称“基板”。)的除水(水切り)剂、除水方法及使用其的干燥方法。

背景技术

通常,在半导体生产过程中,具备将已洗净的基板进行干燥的干燥工序。作为实现该干燥工序的干燥方法,记载有使基板旋转而根据其离心力将基板上的水滴吹除的方法(参照专利文献1、2)或置于异丙醇的蒸气(蒸气)气氛中而根据基板的水和异丙醇间的取代进行除水的方法。另外,记载有代替异丙醇而关于各种含氟醇或含氟醚的提案(参照专利文献3~11)。

专利文献1:特开平1-140728号公报

专利文献2:特开平6-310486号公报

专利文献3:特开平2-203529号公报

专利文献4:特开平3-93899号公报

专利文献5:特开平3-106024号公报

专利文献6:特开平6-346095号公报

专利文献7:特开平6-346096号公报

专利文献8:特开平7-62394号公报

专利文献9:特开平7-70599号公报

专利文献10:特开2000-38673号公报

专利文献11:特开2005-171147号公报

不过,在这些现有技术中,不能充分地解决干燥中费时间或因残余水沾上痕迹的问题。此外近年,为提高半导体的性能,要求根据基板表面形成复杂的构造,特别是需要高度(或深度)/宽(或直径)的形状比为50以上的高形状比柱状(或圆柱状)及/或高形状比孔状的构造。对于这样的基板,在现有技术中,发生其柱状或圆柱状的构造在干燥时歪斜或被破坏、在孔状的构造中的洗涤性差、产生水斑(water mark)或洗涤不良等的问题。

发明内容

因而,本发明正是为了解决上述问题的发明,目的在于不发生基板的破坏或污浊、从基板进行除水、有效地进行干燥。

本发明者对于这样的目的进行潜心研究的结果发现,通过使用下述1)、5)或10)的方法可以解决问题。与各个优选实施方式2)~4)及6)~9)一同叙述。

1)一种除水剂,将1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇作为成分。

2) 1)叙述的除水剂,只包含1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇、或包含1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇及在室温下与其相溶的其他化合物的混合物,且含有10重量%以上1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇。

3) 1)所述的除水剂,包含:1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇10~100重量%、及异丙醇90~0重量%的混合物。

4) 1)所述的除水剂,用于基板上具有高度/直径的形状比为50以上的圆柱状图案及/或深度/直径的形状比为50以上的圆形孔状图案的基板上。

5)一种除水方法,包含:准备基板上具有柱状图案及/或孔状图案的基板的工序、使上述基板与水接触的工序、及使上述基板与1)~4)中任意一项所述的除水剂接触的工序。

6) 5)所述的除水方法,其中,与除水剂接触的工序是:将上述基板浸渍于除水剂中的工序、将除水剂喷射在上述基板上的工序或使上述基板存在于除水剂的蒸气气氛中的蒸气处理工序。

7) 5)所述的除水方法,其中,该柱状图案及/或该孔状图案的直径或一边为10~500nm。

8) 5)所述的除水方法,其中,构成该图案的材质选自金属、金属氧化物及金属氮化物构成的组。

9) 5)所述的除水方法,包含:准备基板上具有高度/直径的形状比为50以上的圆柱状图案及/或深度/直径的形状比为50以上的圆形孔状图案的基板的工序,和

10)一种基板的干燥方法,包含:在5)所述的除水方法中的使基板与除水剂接触的工序后,干燥该基板的干燥工序。

根据本发明,可以得到被处理基板的除水良好,且在干燥后没有水滴痕迹(水斑)或污浊的被处理基板。

具体实施方式

下面,详细地说明本发明。

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