[发明专利]电阻式随机存取存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

第一方向上的多条字符线；

第二方向上的多条位线，每条所述位线耦接到至少一条所述字符线；以及

多个存储组件，每个所述存储组件耦接到一条所述字符线以及一条所述位线，所述存储组件包括：

顶电极，连接到对应的字符线；

底电极，连接到对应的位线；

电阻层，在所述底电极上；以及

至少两个独立的衬垫，每个所述衬垫的两端具有电阻材料，且每个所述衬垫耦接于所述顶电极与所述电阻层之间。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，其中每个所述衬垫包括：

第一氧化膜；

金属膜，所述金属膜的两端具有所述电阻材料；以及

第二氧化膜。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，其中所述衬垫被第二电阻材料隔开。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，其中所述衬垫被金属材料隔开。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，其中每个所述衬垫的两端上的所述电阻材料是相同的材料。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，其中每个所述衬垫的两端的所述电阻材料是不同的材料。

7.一种制造存储器的方法，其特征在于，包括：

提供第一方向上的多条字符线；

提供第二方向上的多条位线；

形成顶电极以连接到对应的字符线；

形成底电极以连接对应的位线；

在所述底电极上形成电阻层；以及

形成至少两个独立的衬垫，每个所述衬垫的两端具有电阻材料，且每个所述衬垫耦接于所述顶电极与所述氧化电阻层之间。

8.如权利要求7所述的制造存储器的方法，其特征在于，其中形成所述衬垫的步骤包括：

在所述底电极的未覆盖部分上执行第一次氧化衬垫沉积来形成第一氧化衬垫；

在所述第一氧化衬垫上执行金属衬垫沉积来形成金属衬垫；

在所述金属衬垫上执行第二次氧化衬垫沉积来形成第二氧化衬垫；以及

在所述第一氧化衬垫、所述金属衬垫以及所述第二氧化衬垫上执行全面蚀刻来形成L形的所述衬垫。

9.一种制造存储器的方法，其特征在于，包括：

提供第一方向上的多条字符线；

提供第二方向上的多条位线；

形成底电极；

在所述底电极上沉积氧化层；

在所述氧化层上形成绝缘层；

图案化所述绝缘层、所述氧化层以及所述底电极，从而使所述底电极的一部分不被覆盖以及所述氧化层的侧面被曝露；

在未覆盖的所述底电极上且沿着所述氧化层的曝露侧面形成两个独立的L形衬垫；

在每个所述L形衬垫的两端形成电阻材料；以及

在未覆盖的所述底电极上形成电阻层。

10.如权利要求9所述的制造存储器的方法，其特征在于，其中形成所述L形衬垫的步骤包括：

在所述底电极的未覆盖部分上执行第一次氧化衬垫沉积来形成第一氧化衬垫；

在所述第一氧化衬垫上执行金属衬垫沉积来形成金属衬垫；

在所述金属衬垫上执行第二次氧化衬垫沉积来形成第二氧化衬垫；以及

在所述第一氧化衬垫、所述金属衬垫以及所述第二氧化衬垫上执行全面蚀刻来形成所述L形衬垫。

11.如权利要求9所述的制造存储器的方法，其特征在于，其中还包括在所述电阻层上形成金属层的步骤。

12.如权利要求9所述的制造存储器的方法，其特征在于，其中还包括在所述电阻层上形成第二电阻层的步骤。

13.如权利要求9所述的制造存储器的方法，其特征在于，其中在每个所述L形衬垫的两端形成所述电阻材料的步骤包括：

执行第一次氧化，以在每个所述L形衬垫的两端形成所述电阻材料；

执行化学机械平坦化，以清除所述绝缘层以及每个所述L形衬垫的第一端的所述电阻材料；以及

执行第二次氧化，以在每个所述L形衬垫的所述第一端形成所述电阻材料。

14.如权利要求9所述的制造存储器的方法，其特征在于，其中还包括在所述L形衬垫上形成顶电极的步骤。