[发明专利]氮化物半导体激光器件

说明书

本申请是申请日为2005年5月17日且发明名称为“氮化物半导体激光器件”的中国专利申请No.200510072704.0的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种氮化物半导体激光器件，尤其涉及这样一种氮化物半导体激光器件，特征在于其处于罩之中的气氛内，在该罩中密封氮化物半导体激光元件。

背景技术

日本专利申请第10-313147号中公开了一种可以安装在真空环境或高压环境中的常规半导体激光器件。所公开的半导体激光器件的细节如下。参考图4，在日本专利申请第10-313147号中公开的半导体激光光源包括：诸如以下的部件，发射激光束的半导体激光器芯片41；散热器42，其一端上设置有半导体激光器芯片41；管座43，散热器42的下表面连接到该管座43；以及光探测元件44，其设在管座43的表面上用于监视半导体激光器芯片41发出的激光束强度。在管座43的相反表面上贴附有分别用于接地、驱动半导体激光器和光探测元件的电极引线47。接地电极导电地连接到管座，用于驱动半导体激光器和光探测元件的电极分别通过导线键合(未示出)以导电方式连接到半导体激光器芯片41和光探测元件44上。

使用合成树脂之类的透光塑性材料49将电极引线47之外的半导体激光器芯片41、散热器42、光探测元件44和管座43全部模制制作图4所示的半导体激光光源。上述公告公开：这种形式的封装允许将半导体激光器芯片41安装在真空环境或高压环境中，因为这种形式的封装没有诸如罩和保护玻璃的缺少强度的部分。

日本专利申请第10-313147号还公开：在透光可塑材料制作的罩中密封的内部气氛是一种惰性气体气氛，因此半导体激光器件可以安装在真空环境或高压环境中。

如果上述公告中的半导体激光器件用氮化物半导体激光元件作为半导体激光元件，则该激光器元件的谐振腔端面(下文中称为“谐振腔端面”)将会变黑(blackened)。变黑导致氮化物半导体激光元件的输出光强度退化或其寿命的缩短。

发明内容

提出本发明是为了解决常规技术的上述问题，本发明的目的在于提供一种氮化物半导体激光器件，防止氮化物半导体激光元件的谐振腔端面变黑，并由此防止因变黑引起的氮化物半导体激光元件输出光强度的劣化和寿命的缩短。

根据本发明的一个方面，提供了一种氮化物半导体激光器件，其包括：氮化物半导体激光元件，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；以及设有氮化物半导体激光元件的管座。氮化物半导体激光元件密封在罩中，该罩与管座相连。罩中的气氛具有最高-30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。

优选地，该气氛具有最高为1.3kPa的压强。

优选地，该气氛包括氦气。

优选地，该气氛包括氮气。

优选地，该气氛具有高于100kPa的压强。

优选地，该罩具有窗口，且该窗口具有至少0.5mm、最多1.0mm的厚度。

优选地，利用插置其间的金属将罩连接到管座。

优选地，在罩之中提供具有氮化物半导体激光元件的散热器。

优选地，在罩内提供光探测元件，用于检测来自氮化物半导体激光元件的激光束。

根据本发明的另一个方面，提供了一种用于组装如上所述任何氮化物半导体激光器件的组装设备，且其包括：能够组装装进组装设备的氮化物半导体激光器件而没有将内部开放给外界空气的机构；真空机构，用于在组装设备之中产生真空；气体供给机构，用于以预定的气氛气体替代组装设备内部；清除机构，用于将组装设备内部的气氛气体排放到外部；以及测量机构，用于检测组装设备内部的氧浓度和露点。

优选地，组装设备内部的压强、气氛气体类型、氧浓度和露点分别和氮化物半导体激光器件的气氛的压强、气体类型、氧浓度和露点相同。

优选地，组装设备内部的压强相对于氮化物半导体激光器件的气氛压强的指定值为负压强或正压强。

优选地，组装设备内部的氧浓度低于氮化物半导体激光器件气氛的氧浓度。

优选地，组装设备内部的露点低于氮化物半导体激光器件气氛的露点。

根据本发明的另一个方面，提供了一种制造如上所述任何氮化物半导体激光器件的方法，其包括如下步骤：利用氮化物半导体激光器件的组装设备将氮化物半导体激光器件装入该组装设备而无需将组装设备内部开放到外界空气组装氮化物半导体激光器件。