[发明专利]氮化物半导体激光器件

权利要求书

1.一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：

氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发光；以及

管座(14)，其具有所述氮化物半导体激光元件(11)，其中

所述氮化物半导体激光元件(11)密封在罩(15)之内，该罩连接到所述管座(14)，且

所述罩(15)中的气氛具有最高-30℃的露点和小于100ppm的氧浓度。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中所述气氛具有最高为1.3kPa的压强。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中所述气氛包括氦气。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中所述气氛包括氮气。

5.根据权利要求3所述的氮化物半导体激光器件，其中所述气氛具有高于100kPa的压强。

6.根据权利要求4所述的氮化物半导体激光器件，其中所述气氛具有高于100kPa的压强。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中

所述罩(15)具有窗口(16)，且所述窗口(16)具有至少0.5mm、最多1.0mm的厚度。

8.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中利用插置在所述罩(15)和所述管座(14)之间的金属将它们连接起来。

9.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中在所述罩(15)之内提供一具有所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)。

10.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中

在所述罩(15)之内提供光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。

11.一种用于组装如权利要求1所述的氮化物半导体激光器件(10)的组装设备，其包括：

组装机构，能够组装被送入所述组装设备中的所述氮化物半导体激光器件(10)而不将所述组装设备的内部开放给外界空气；

真空机构，用于在所述组装设备之中产生真空；

气体供给机构，用于以预定的气氛气体替代所述组装设备的内部；

清除机构，用于将所述组装设备内部的所述气氛气体排放到外部；以及

测量机构，用于检测所述组装设备内部的氧浓度和露点。

12.根据权利要求11所述的组装设备，其中

所述组装设备内部的压强、气氛气体类型、氧浓度和露点分别和所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛的压强、气体类型、氧浓度和露点相同。

13.根据权利要求11所述的组装设备，其中

所述组装设备内部的压强相对于所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛压强的指定值为负压强或正压强。

14.根据权利要求11所述的组装设备，其中

所述组装设备内部的氧浓度低于所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛的氧浓度。

15.根据权利要求11所述的组装设备，其中

所述组装设备内部的露点低于所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛的露点。

16.一种制造如权利要求1所述的氮化物半导体激光器件(10)的方法，包括如下步骤：使用所述氮化物半导体激光器件(10)的组装设备，将所述氮化物半导体激光器件(10)装入所述组装设备并无需将所述组装设备内部开放给外界空气，组装所述氮化物半导体激光器件(10)。

17.根据权利要求16所述的制造氮化物半导体激光器件的方法，进一步包括如下步骤：

在所述组装设备中产生真空；

设定所述组装设备内部的压强、气氛气体类型、氧浓度和露点，使其分别和所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛的压强、气体类型、氧浓度和露点相同。

18.根据权利要求16所述的制造氮化物半导体激光器件的方法，进一步包括如下步骤：

在所述组装设备中产生真空；以及

设定所述组装设备内部的压强，使其相对于所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛压强的指定值为负压强或正压强。