[发明专利]半导体发光元件无效
| 申请号： | 200710153114.X | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101154796A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 大野彰仁;竹见政义;富田信之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
1.一种半导体发光元件，具有由氮化物系化合物半导体构成的n型覆盖层、形成在该n型覆盖层上并由氮化物系化合物构成的活性层、形成在该活性层上并由氮化物系化合物半导体构成的p型覆盖层，其特征在于：
所述p型覆盖层含有镁作为杂质；
在所述活性层与所述p型覆盖层之间，设置了由以InxAlyGa1-x-yN表示的氮化物系化合物半导体构成的n型防扩散层，其中，x≥0、y≥0、x+y＜1。
2.如权利要求1的半导体发光元件，其特征在于：
所述n型防扩散层由一层构成，该层的n型杂质的掺杂浓度为5×1017cm-3以上且5×1019cm-3以下。
3.如权利要求1的半导体发光元件，其特征在于：
所述n型防扩散层由多层构成，其中的至少一层含有n型杂质。
4.如权利要求1～3的任意一项的半导体发光元件，其特征在于：
所述n型防扩散层的膜厚为5nm以上且200nm以下。
5.如权利要求1的半导体发光元件，其特征在于：
在所述n型防扩散层与所述p型覆盖层之间，以与所述n型防扩散层接触的方式设置由氮化物系化合物半导体构成的p型电子阻挡层。
6.如权利要求5的半导体发光元件，其特征在于：
在所述n型防扩散层与p型电子阻挡层之间设置了非掺杂的GaN层或者非掺杂的InGaN层。
7.如权利要求1的半导体发光元件，其特征在于：
在所述活性层与所述n型防扩散层之间设置了由氮化物系化合物半导体构成的非掺杂的导引层。
8.如权利要求1的半导体发光元件，其特征在于：
所述p型覆盖层中含有氢。
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