[发明专利]具有电荷俘获层的非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

基板；

在所述基板上方的隧道层；

在所述隧道层上方的电荷俘获层，包括氮化物层和氮化硅硼层；

在所述电荷俘获层上方的阻隔层；和

在所述阻隔层上方的控制栅电极。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述氮化硅硼层具有按重量在1％到30％范围内的硼的浓度。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述氮化硅硼层具有40至120的厚度。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述氮化物层为氮化硅层或氮氧化硅层。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述阻隔层从由氧化物层、氧化铝层、氧化铪层、氧化铪铝层、氧化锆层和它们的组合所组成的组中选择。

6.一种非易失性存储器件，包括：

基板；

在所述基板上方的隧道层；

在所述隧道层上方的电荷俘获层，包括第一氮化物层、氮化硅硼层和第二氮化物层；

在所述电荷俘获层上方的阻隔层；和

布置在所述阻隔层上的控制栅电极。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述氮化硅硼层具有按重量在1％到30％范围内的硼的浓度。

8.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中所述氮化硅硼层具有20至60的厚度。

9.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中第一氮化物层和第二氮化物层中至少之一为氮化硅层或氮氧化硅层。

10.一种非易失性存储器件的制造方法，包括如下步骤：

在基板上方形成隧道层；

在所述隧道层上方形成氮化物层；

在所述氮化物层上方形成氮化硅硼层；

在所述氮化硅硼层上方形成阻隔层；和

在所述阻隔层上方形成控制栅电极。

11.如权利要求10所述的方法，包括形成所述氮化物层到20至60的厚度。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述氮化物层为氮化硅层或氮氧化硅层。

13.如权利要求10所述的方法，包括在所述氮化物层上形成氮化硅硼层使得所述氮化硅硼层具有按重量在1％到30％范围内的硼的浓度。

14.如权利要求10所述的方法，包括形成所述氮化硅硼层到40至120的厚度。

15.如权利要求10所述的方法，包括形成所述氮化硅硼层采用硅源、三氯化硼气体和氨气气体。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述硅源包括从由六氯乙硅烷、SiH₄、Si₃H₈和双叔丁基氨基硅烷组成的组中选出的含硅的固体或含硅的气体。

17.一种非易失性存储器件的制造方法，包括如下步骤：

在基板上方形成隧道层；

在所述隧道层上方形成第一氮化物层；

在所述第一氮化物层上方形成氮化硅硼层；

在所述氮化硅硼层上方形成第二氮化物层；

在所述第二氮化物层上方形成阻隔层；和

在所述阻隔层上方形成控制栅电极。

18.如权利要求17所述的方法，还包括如下步骤：

在形成阻隔层的步骤之后，对所述阻隔层进行热工艺。

19.如权利要求17所述的方法，包括形成所述第一氮化物层和第二氮化物层到20至60的厚度。

20.如权利要求17所述的方法，包括形成所述氮化硅硼层到20至60的厚度。

21.如权利要求17所述的方法，其中所述第一氮化物层和第二氮化物层独立地为氮化硅层或氮氧化硅层。

22.如权利要求17所述的方法，包括形成所述氮化硅硼层使得所述氮化硅硼层具有按重量在1％到30％范围内的硼的浓度。