[发明专利]包含多层反射器的光学设备和垂直腔面发射激光器有效
| 申请号: | 200710147710.7 | 申请日: | 2007-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN101132118A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
| 发明(设计)人: | 竹内哲也 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/30 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包含 多层 反射 光学 设备 垂直 发射 激光器 | ||
1.一种用于产生波长λ的光的光学设备,包括反射器和活性层,所述反射器为半导体多层反射器,包含被交替层压并具有彼此不同折射率的第一层和第二层,
其中所述第一层具有小于λ/4的光学厚度而所述第二层具有大于λ/4的光学厚度;并且
其中在所述第一层和所述第二层之间的界面位于不同于在所述反射器中光强分布的波节和波腹的位置上。
2.根据权利要求1的光学设备,其中层压两对或更多对的所述第一层和所述第二层。
3.根据权利要求1的光学设备,其中所述第一层的中心位于对应于所述反射器中光强分布的彼此相邻的波节和波腹间的中点的位置。
4.根据权利要求1的光学设备,其中所述第一层的光学厚度和所述第二层的光学厚度的总和为λ/2。
5.根据权利要求1的光学设备,其中所述第一层具有比所述第二层的热阻更大的热阻。
6.根据权利要求5的光学设备,其中所述第二层包括二元材料。
7.根据权利要求6的光学设备,其中所述第二层是AlAs层。
8.根据权利要求1的光学设备,其中在所述光学设备的衬底的晶格常数和所述第二层的晶格常数之间的差小于在所述衬底的晶格常数和所述第一层的晶格常数之间的差。
9.根据权利要求8的光学设备,其中所述第一层是AlN层。
10.根据权利要求8的光学设备,其中所述第二层是GaN层。
11.根据权利要求1的光学设备,其中所述第一层具有λ/8的光学厚度。
12.根据权利要求1的光学设备,其中所述第二层具有3λ/8的光学厚度。
13.一种垂直腔面发射激光器,包括:
衬底;
在衬底上提供的两个反射器;以及
在所述两个反射器之间提供的活性层,
其中所述两个反射器中至少一个包括根据权利要求1的光学设备。
14.一种电子照相装置,包括:
感光部件;
用于为所述感光部件充电的充电单元;
用于发射光束以对充电的感光部件形成静电潜像的光束发射单元;和
用于对通过所发射光束形成的静电潜像进行显影的显影单元,
其中所述光束发射单元包括作为其光源的根据权利要求1的光学设备。
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