[发明专利]用来制造磁头滑块的方法无效

专利信息
申请号: 200710146957.7 申请日: 2007-09-03
公开(公告)号: CN101136209A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 近藤祥;田中幸治;江藤公俊;大岳一郎 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/31 分类号: G11B5/31;B24B19/26
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 李涛;钟强
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 用来 制造 磁头 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种用来制造磁头滑块的方法。

背景技术

用作诸如计算机之类的信息处理设备的外部存储装置的磁盘驱动器要求具有较高记录容量,并因此主要在记录密度方面改进以便满足这种要求。然而,通过使用传统纵向磁记录方案提高密度造成如下问题:由于巨大抗磁场出现在介质上的磁化过渡区域中,所以要求其记录层膜厚度的减小,并因此记录数据通过热干扰被丢失。同时,对于用于介质的记录磁化过程在其膜厚度方向上进行的垂直磁记录方案,高记录密度容易实现,因为在磁化过渡区域中出现的抗磁场较小,因而对于介质的膜厚度的减小的必要性不太显著。

当信号通过使用垂直记录磁头记录在垂直记录介质上时,电信号由线圈转换成磁信号,并因而磁头的主和辅磁极部被激励以产生磁通。这些磁通的部分流自于辅助磁极部,并且在主和辅磁极部之间穿过之后,透入记录介质的垂直记录层。此后,形成通过位于垂直记录层下面的软磁基底层返回到辅助磁极部的封闭环路。在这时,辅助磁极部用来把在记录介质的垂直记录层和软磁基底层处已经出现的磁通磁性高效地从主磁极部返回到辅助磁极部。磁通以这种方式流动,以把磁化信号记录在垂直记录介质上。

为了改进在垂直记录方案中的记录密度,必须非常精确地加工读磁头的元件高度和写磁头的元件高度。专利文件1描述了一种允许写磁头的元件高度(喉部高度)和读磁头的元件高度(传感器高度)通过使用下面的过程被控制的技术。首先,用于读磁头的空气承载表面加工的特殊探测图案和用于写磁头的空气承载表面加工的特殊探测图案提供在用作滑块的各个部分中。其次,写磁头的空气承载表面被研磨,同时其元件高度(喉部高度)通过使用用于空气承载表面加工的探测图案被监视,并且在这种监视过程期间,用于读磁头的空气承载表面加工的特殊探测图案也被监视。也描述到,在写和读磁头的空气承载表面研磨期间,用于磁头的加工探测图案的电阻值被检查,并且如果写磁头的喉部高度发现与读磁头的传感器高度相比较大,则写磁头的空气承载表面被倾斜地研磨,以减小其喉部高度。

专利文件2描述了一种通过使用下面的过程可提高喉部高度TH的加工精度以及磁阻(MR)元件高度的加工精度的技术。首先,在条的空气承载表面上,多个第一电阻膜提供在与MR元件相同的层位置处,并且多个第二电阻膜提供在与记录间隙相同的层位置处。其次,在条的空气承载表面被研磨的同时,测量第一和第二电阻膜的电阻值,并且基于第一电阻膜的相应电阻值和第二电阻膜的相应电阻值,控制空气承载表面在其纵向方向和短轴方向上的研磨量。

专利文件3描述了一种技术,在该技术中,在诸如MR磁头或巨型MR磁头的读磁头的研磨期间,提供元件高度比读磁头大的第一ELG(电研磨引导)元件、和形状与读磁头相同的第二ELG元件。然后读磁头的元件高度在用第一ELG元件监视的同时被控制到要求的尺寸精度,并且读磁头的元件电阻值在用第二ELG元件监视的同时被控制到要求值。

[专利文件1]JP-A-2006-48806

[专利文件2]JP-A-2005-317069

[专利文件3]JP-A-2000-67408

发明内容

在以上传统技术中,写磁头的喉部高度和读磁头的传感器高度通过测量与喉部高度和传感器高度相关的ELG元件(加工探测图案)的电阻值而被控制。然而,有如下问题:由于垂直记录磁头的写磁头ELG元件摹制通过主要从写磁头的空气承载表面侧的离子铣削而被控制,同时形成主磁极部,所以离子铣削的切屑重新粘附到与ELG元件的空气承载表面相对的边缘上,并且使这个ELG元件的电阻值不稳定。如果ELG元件的电阻值变得不稳定和不一致,则要求尺寸精确的主磁极部的喉部高度部分的研磨不能被高精度地控制。

本发明的目的是提供一种制造磁头滑块的方法,该方法适合于能以高精度控制垂直记录磁头的主磁极部的喉部高度。

在根据本发明的制造磁头滑块的方法中,监视主磁极部的喉部高度的第一加工探测图案(ELG)布置在与在限流阴极(robber)内的一个垂直记录磁头的拖尾侧屏蔽的镀敷基底层相同的层上,并且从第一ELG的被研磨的表面凹下的第二和第三ELG布置在与另一个垂直记录磁头的主磁极部相同的层上。第二和第三ELG的前端位置(顶部)从其电阻值的变化被探测,并且计算第一ELG的研磨的结束位置。由于第二和第三ELG在其前端位置(顶部)处的高度是精确的,所以在主磁极部的喉部高度和第一ELG的电阻值之间的相关性可通过在探测前端位置(顶部)时探测这个电阻值而被指定。

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