[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

一基底；

一位于该基底上的第一金属层；

一位于该第一金属层上的介电层；以及

一位于该介电层上的第二金属层，其中该第一金属层具有：

一第一体心立方晶格金属层；

一第一氮化物层，其位于该第一体心立方晶格金属层的下方，该第一氮化物层为该第一体心立方晶格金属层的组成的氮化物；及

一体心立方晶格的第一界面，其位于该第一体心立方晶格金属层与该第一氮化物层之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征是该第二金属层包含：

一第二体心立方晶格金属层；

一第二氮化物层，其位于该第二体心立方晶格金属层的下方，该第二氮化物层为该第二体心立方晶格金属层的组成的氮化物；以及

一体心立方晶格的第二界面，其位于该第二体心立方晶格金属层与该第二氮化物层之间。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征是该第一金属层与该第二金属层分别选自由下列金属所组成的族群：铌、钽、铊、与上述三种金属的组合。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征是：

该第一氮化物层与该第二氮化物层均为氮化钽层；

该第一体心立方晶格金属层与该第二体心立方晶格金属层均为含钽层；以及

该第一界面与该第二界面均为TaN_x，其中x值为0.1。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征是该第一金属层还包含：

一铝铜合金层，其位于该第一氮化物层的下方；

一第三体心立方晶格金属层，其位于该铝铜合金层的下方；

一第三氮化物层，其位于该第三体心立方晶格金属层的下方，该第三氮化物层为该第三体心立方晶格金属层的组成的氮化物；以及

一体心立方晶格的第三界面，其位于该第三体心立方晶格金属层与该第三氮化物层之间。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征是：

该第一氮化物层、该第二氮化物层、与第三氮化物层均为氮化钽层；

该第一体心立方晶格金属层、该第二体心立方晶格金属层、与该第三体心立方晶格金属层均为含钽层；以及

该第一界面、该第二界面、与该第三界面均为TaN_x，其中x值为0.1。

7.如权利要求4所述的半导体装置，其特征是所述含钽层均为TaN_a，其中a值小于0.5。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征是所述含钽层均为TaN_b，其中b值小于0.5。