[发明专利]具有焊接裂缝抑制环的半导体封装构造无效
| 申请号: | 200710142006.2 | 申请日: | 2007-08-13 |
| 公开(公告)号: | CN101369559A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
| 发明(设计)人: | 范文正 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 焊接 裂缝 抑制 半导体 封装 构造 | ||
1.一种半导体封装构造,其特征在于其包含:
一晶片载体,其具有一上表面与一下表面,其中该下表面设有复数个第一导接垫;
一晶片,其设置并电性连接至该晶片载体;以及
复数个塔形凸块,其对应设置于该些第一导接垫,用以对外焊接,每一塔形凸块具有至少一第一裂缝抑制环,其是概与该些第一导接垫为平行,用以抑制焊接裂缝的扩散。
2.根据权利要求1所述的半导体封装构造,其特征在于其中所述的每一塔形凸块另具有一第二裂缝抑制环,其位于该第一裂缝抑制环与对应的第一导接垫之间,并与该第一裂缝抑制环是互为平行但不共平面。
3.根据权利要求2所述的半导体封装构造,其特征在于其中所述的第二裂缝抑制环的内径是大于该第一裂缝抑制环的内径。
4.根据权利要求2所述的半导体封装构造,其特征在于其中所述的第二裂缝抑制环的内径是概约相同于该第一裂缝抑制环的内径。
5.根据权利要求1所述的半导体封装构造,其特征在于其中所述的该些第一导接垫具有显露于该些塔形凸块的外环面。
6.根据权利要求1或5所述的半导体封装构造,其特征在于其另包含有焊料,其焊接该些塔形凸块。
7.根据权利要求6所述的半导体封装构造,其特征在于其中所述的焊料是更焊接至该些第一导接垫的外环面。
8.根据权利要求1所述的半导体封装构造,其特征在于其中所述的上表面设有复数个第二导接垫,以供设置另一半导体封装构造。
9.根据权利要求1所述的半导体封装构造,其特征在于其中所述的晶片载体是为一多层印刷电路板。
10.根据权利要求9所述的半导体封装构造,其特征在于其中所述的晶片载体具有一打线槽孔,并以复数个焊线通过该打线槽孔电性连接该晶片与该晶片载体。
11.根据权利要求10所述的半导体封装构造,其特征在于其另包含有一封胶体,其形成于该打线槽孔并突出于该下表面,以密封该些焊线。
12.根据权利要求1所述的半导体封装构造,其特征在于其中所述的晶片的一主动面是贴设于该晶片载体的该上表面。
13.根据权利要求12所述的半导体封装构造,其特征在于其中所述的晶片的一背面是显露于该晶片载体的该上表面。
14.根据权利要求1所述的半导体封装构造,其特征在于其中所述的晶片是设置于该晶片载体的该下表面,该些塔形凸块是排列于该晶片的侧边。
15.根据权利要求14所述的半导体封装构造,其特征在于其中所述的晶片的一背面是显露于该晶片载体的该下表面。
16.根据权利要求15所述的半导体封装构造,其特征在于其另包含有一热耦合元件,其形成于该晶片的显露背面。
17.根据权利要求14所述的半导体封装构造,其特征在于其另包含有一密封胶,其形成于该晶片载体的该下表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力成科技股份有限公司,未经力成科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710142006.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





