[发明专利]制造通孔和电子器件的方法

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

至少一个电子芯片，其包括顶侧、底侧、和第一热膨胀系数；以及

载体，其包括底侧和顶侧，所述顶侧连接到所述芯片的所述底侧，所述载体还包括近似匹配所述第一热膨胀系数的第二热膨胀系数，和从所述载体的所述底侧至所述载体层的所述顶侧的多个通孔，每个通孔包括在所述载体的顶表面处暴露的环垫，在所述载体的底表面处暴露的衬垫，和在所述环垫与所述衬垫之间设置的柱，其中所述柱延伸通过一定体积的空的空间。

2.根据权利要求1的器件，其中用低模量材料填充所述体积的空的空间。

3.根据权利要求1的器件，还包括基板，所述基板包括不匹配所述第一热膨胀系数的第三热膨胀系数，和其中通过焊料凸起将所述基板连接到所述载体的底侧。

4.根据权利要求1的器件，其中所述通孔结构包括铜材料。

5.根据权利要求1的器件，其中所述柱以不垂直于所述载体基板的角度制造。

6.根据权利要求1的器件，其中所述柱包括曲线部分。

7.根据权利要求3的器件，其中所述基板由有机材料构成。

8.一种在硅载体中制造柔性通孔的方法，所述方法包括以下步骤：

构图所述硅载体；

使用深反应离子蚀刻方法在所述硅载体中蚀刻环孔；

使用热生长氧化物以隔离所述通孔；

用柔性材料填充所述环孔；

构图所述硅；

进行反应离子蚀刻以去除所述氧化物和深反应离子蚀刻以去除硅中心柱；

再次构图所述硅以在所述硅中形成通孔；

铜镀敷所述硅以形成通孔环垫和柱；

研磨所述载体的背侧以暴露铜柱；

构图所述载体的背侧和镀敷所述载体以形成铜衬垫和球限冶金；以及

使用镀敷或其它转移方法在所述球限冶金上形成焊料凸起。

9.根据权利要求8的方法，其中用低模量材料填充所述环孔。

10.根据权利要求8的方法，其中用光致抗蚀剂填充所述环孔。

11.一种在载体中制造通孔的方法，包括以下步骤：

构图硅基板；

通过深反应离子蚀刻在所述基板中蚀刻环状通孔；

在所述基板上生长热氧化物；

用多晶硅填充所述环状通孔；

平面化和氧化所述基板；

用光致抗蚀剂构图所述基板的顶表面；

蚀刻所述基板的氧化物和硅至超过所述多晶硅环状通孔的深度；

构图所述顶表面并用铜镀敷以形成通孔环垫和柱；

减薄所述晶片的背侧以暴露铜通孔柱；

构图所述晶片的背侧；

镀敷所述铜衬垫和球限冶金；

构图所述晶片的背侧以暴露围绕所述铜通孔的硅；以及

用二氟化氙蚀刻围绕所述铜柱的硅。

12.一种硅芯片，包括：

硅基板，包括有源器件层，和连接到所述有源器件的后段制程布线，多个衬垫，以及将所述后段制程布线连接到衬垫的多个通孔。

13.根据权利要求12的硅芯片，其中用导电材料完全地填充所述通孔。

14.根据权利要求12的硅芯片，其中所述通孔延伸通过一定体积的空的空间或低模量材料。

15.根据权利要求12的硅芯片，其中所述通孔包括以不垂直于所述硅基板的角度制造的柱。

16.一种包括顶部和底部的硅芯片，所述硅芯片包括：

硅基板，包括在所述硅芯片的所述顶部处的有源器件层，和在所述有源器件下连接的后段制程布线，在所述硅芯片的所述底部上的多个衬垫，以及将所述后段制程布线连接到衬垫的多个通孔。

17.根据权利要求16的硅芯片，其中使用绝缘体上硅技术在所述有源器件下连接所述后段制程布线。