[发明专利]调整动态随机存取存储器更新周期的方法

权利要求书

1.一种调整一动态随机存取存储器DRAM阵列更新周期的方法，包含：

决定至少部分所述DRAM阵列位的该留置时间；

以剩余的位，取代所述DRAM阵列位中具有最短留置时间的阵列位；以及

建立一个或多个所述被取代的DRAM阵列位为指示位，所述被取代的DRAM阵列位比起未被取代的任何DRAM阵列位具有一较短的留置时间。

2.如权利要求1所述的方法，还包含下列步骤：

根据一预定的更新时间周期，对所述DRAM阵列位更新；

决定所述指示位的一状态；以及

当所述指示位已保持其数据状态，增加所述DRAM阵列位的该更新时间周期，至一增加的更新时间周期；

当所述指示位尚未保持其数据状态，减少所述DRAM阵列位的该更新时间周期，至一减少的更新时间周期。

3.如权利要求2所述的方法，还包含下列步骤：

根据该增加或该减少的更新时间周期其中之一，对所述DRAM阵列位进行实质地更新。

4.如权利要求2所述的方法，其中对所述DRAM阵列位更新的步骤还包含下列步骤：

初始化一更新定时器；

以该预定的更新时间周期设定该定时器；以及

监控该更新定时器，以决定该预定更新时间周期何时结束。

5.一种调整一DRAM阵列更新周期的方法，包含：

决定至少部分所述DRAM阵列位的该留置时间；

以剩余的位，取代所述DRAM阵列位中具有最短留置时间的阵列位；以及

建立一个或多个所述被取代的DRAM阵列位为指示位，所述被取代的DRAM阵列位与具有最小留置时间的所述未被取代的DRAM阵列位具有一实质相等的留置时间。

6.如权利要求5所述的方法，还包含下列步骤：

以一第一预定的更新时间周期，对所述DRAM阵列位更新；

在初始该第一预定更新时间周期的同时，初始一第二较长的预定更新时间周期；

在该第二更新时间周期结束时，决定所述指示位的一状态；以及

当所述指示位已保持其数据状态，增加所述DRAM阵列位的该第一及该第二更新时间周期，至一增加的更新时间周期；

当所述指示位尚未保持其数据状态，减少该DRAM阵列位的该第一及该第二更新时间周期，至一减少的更新时间周期。

7.如权利要求6所述的方法，还包含下列步骤：

根据该增加或该减少的更新时间周期其中之一，对所述DRAM阵列位进行实质地更新。

8.如权利要求7所述的方法，其中对所述DRAM阵列位更新的步骤还包含下列步骤：

初始化多个标准及长更新定时器；

设定该标准更新定时器至该第一预定的更新时间周期；

设定该长更新定时器至该第二较长预定的更新时间周期；以及

监控所述标准及长更新定时器，以决定该个别第一及第二预定更新时间周期何时结束。

9.一种调整一DRAM阵列更新周期的方法，包含：

以剩余的DRAM阵列位，取代多个选择的DRAM阵列位中具有一最短留置时间的阵列位；

利用至少一或多个所述被取代的DRAM位为一个或多个指示位，该被取代的DRAM位具有一留置时间，其相近于所述未被取代的DRAM阵列位的一最短的留置时间；以及

以该一个或多个指示位的该留置时间，设定该DRAM阵列的更新时间周期。

10.如权利要求9所述的方法，还包含下列步骤：

选择该一个或多个指示位作为所述位，其比所述未被取代的DRAM位具有一较短的留置时间。

11.如权利要求9所述的方法，还包含下列步骤：

选择该一个或多个指示位作为所述位，其与所述未被取代的DRAM位具有一实质相近的留置时间。