[发明专利]多束激光设备和使用其的图像形成装置

权利要求书

1.一种多束激光设备，包括：

公共电极单元；

使用该公共电极单元而发光的多个光源单元；以及

将该公共电极单元和该多个光源单元互连的隔离单元，

其中该多个光源单元被延伸至该隔离单元内的深度变化的至少两个沟槽隔离。

2.权利要求1所述的多束激光设备，其中该隔离单元包括半导体基板，该半导体基板中掺杂有预定掺杂剂，且该掺杂剂的掺杂浓度依据与该公共电极单元的距离而增大。

3.权利要求2所述的多束激光设备，其中该至少两个沟槽防止该多个光源单元之间的干扰。

4.权利要求3所述的多束激光设备，其中该至少两个沟槽从该多个光源单元的上侧表面之间的至少一个位置延伸至该隔离单元内。

5.权利要求4所述的多束激光设备，其中该至少两个沟槽的深度依据该沟槽与该公共电极单元的相应距离而增大。

6.权利要求1所述的多束激光设备，其中

该至少两个沟槽防止该多个光源单元之间的干扰。

7.权利要求6所述的多束激光设备，其中该至少两个沟槽从该多个光源单元的上侧表面之间的至少一个位置延伸到该隔离单元内。

8.权利要求7所述的多束激光设备，其中该至少两个沟槽的深度依据该沟槽与该公共电极单元的相应距离而增大。

9.权利要求1所述的多束激光设备，其中该多个光源单元的每个包括：

形成于该隔离单元的上表面上的第一半导体层；

形成于该第一半导体层上的有源层；

形成于该有源层上的第二半导体层；以及

形成于该第二半导体层上的至少一个电极层，将连接到电源而具有与该公共电极单元极性相反的极性。

10.权利要求9所述的多束激光设备，其中该第一半导体层和该隔离单元由N型半导体形成，该第二半导体层由P型半导体形成。

11.权利要求9所述的多束激光设备，其中该第一半导体层和该隔离单元由P型半导体形成，该第二半导体层由N型半导体层形成。

12.权利要求9所述的多束激光设备，其中该第一和第二半导体层的至少一个包括氮化物半导体层。

13.权利要求1所述的多束激光设备，还包括与该隔离单元的下表面接触的绝缘体基板。

14.权利要求13所述的多束激光设备，其中该公共电极单元包括：

形成于该隔离单元上表面一部分区域上的第一公共电极，以及

形成于该隔离单元上表面内与该第一公共电极隔开的另一部分内的第二公共电极。

15.权利要求14所述的多束激光设备，其中该多个光源单元包括：

位于该第一和第二公共电极之间并由该第一公共电极驱动的第一光源单元；

位于该第一和第二公共电极之间并由该第二公共电极驱动的第二光源单元；以及

位于该第一和第二公共电极之间并由该第一公共电极或该第二公共电极驱动的第三光源单元。

16.权利要求15所述的多束激光设备，其中

该至少两个沟槽防止该第一、第二和第三光源单元相邻两个之间的干扰。

17.权利要求16所述的多束激光设备，其中该至少两个沟槽从该光源单元的上表面之间的位置延伸到该隔离单元内。

18.权利要求9所述的多束激光设备，其中该公共电极单元和该多个光源单元中的至少一个在该隔离单元的上表面上形成直角图案。

19.权利要求18所述的多束激光设备，其中

各个该多个光源单元的有源层、第二半导体层和电极层具有在相同对应位置形成为预定形状的至少一个相应槽口。

20.权利要求15所述的多束激光设备，其中各个该第一和第二公共电极在该隔离单元的上表面上形成条形，且各个该第一、第二和第三光源单元在该隔离单元的上表面上形成直角图案。