[发明专利]低容层积型晶片变阻器及其所使用的过电压保护材料

权利要求书

1.一种具有微孔结构的过电压保护材料，应用于正负电极间以抑制瞬时突波电压及静电冲击，包含无机玻璃组成3～50wt％及粒径大于0.1微米的半导体或导体颗粒50～97wt％；其特征在于，所述的半导体或导体颗粒的表面包覆一层由所述无机玻璃组成构成的无机玻璃薄膜，且所述的无机玻璃薄膜中，含有粒径小于1微米的亚微米或纳米级半导体或导体微粒，且所述亚微米或纳米级半导体或导体微粒的含量为无机玻璃含量的20wt％以下。

2.如权利要求1所述的过电压保护材料，其中，所述的无机玻璃组成由选自硅酸盐玻璃、硅铝酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、磷酸盐玻璃、铅酸盐玻璃中的一种或一种以上所组成。

3.如权利要求1所述的过电压保护材料，其中，所述的半导体颗粒和微粒为氧化锌、氧化钛、氧化锡、硅、锗、碳化硅、Si-Ge合金、锑化铟、砷化镓、磷化铟、磷化镓、硫化锌、硒化锌、碲化锌、钛酸锶或钛酸钡的其中一种。

4.如权利要求1所述的过电压保护材料，其中，所述的导体颗粒和微粒选自铂(Pt)、钯(Pd)、钨(W)、金(Au)、铝(Al)、银(Ag)、镍(Ni)、铜(Cu)及其合金的其中一种或一种以上。

5.一种低容层积型晶片变阻器，在1MHz下电容值小于0.5pF，包含一陶瓷主体，且该陶瓷主体的两端设有外电极及其内部设有内电极，其中，陶瓷主体包含无机玻璃组成3～50wt％及粒径大于0.1微米的半导体或导体颗粒50～97wt％；且所述的半导体或导体颗粒的表面包覆一层由所述无机玻璃组成构成的无机玻璃薄膜，且所述的无机玻璃薄膜中，含有粒径小于1微米的亚微米或纳米级半导体微粒或导体微粒，且半导体或导体微粒的含量为无机玻璃含量的20wt％以下。

6.如权利要求5所述的低容层积型晶片变阻器，其中，所述的无机玻璃组成由选自硅酸盐玻璃、硅铝酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、磷酸盐玻璃、铅酸盐玻璃中的一种或一种以上所组成。

7.如权利要求5所述的低容层积型晶片变阻器，其中，所述的半导体颗粒和微粒为氧化锌、氧化钛、氧化锡、硅、锗、碳化硅、Si-Ge合金、锑化铟、砷化镓、磷化铟、磷化镓、硫化锌、硒化锌、碲化锌、钛酸锶或钛酸钡的其中一种。

8.如权利要求5所述的低容层积型晶片变阻器，其中，所述的导体颗粒和微粒选自铂(Pt)、钯(Pd)、钨(W)、金(Au)、铝(Al)、银(Ag)、镍(Ni)、铜(Cu)及其合金的其中一种或一种以上。