[发明专利]带有静电防护结构的有机电致发光器件及其制备方法无效
| 申请号: | 200710122039.0 | 申请日: | 2007-09-20 |
| 公开(公告)号: | CN101127388A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
| 发明(设计)人: | 邱勇;徐粤;张德强 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京维信诺科技有限公司;昆山维信诺显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L23/60 |
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| 地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 带有 静电 防护 结构 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种带有静电防护结构的有机电致发光器件,包括基板、位于基板上的有机电致发光组件及静电防护部件,其特征在于,所述静电防护部件为一设置在基板边缘,包围所述有机电致发光组件的非封闭环状结构的导电层,并且非封闭环状结构的两端分别终止在基板上引线邦定区域的两端。
2.根据权利要求1的带有静电防护结构的有机电致发光器件,其特征在于,所述非封闭环状结构的导电层为具有一定宽度连续设置的环状金属层或金属氧化物层。
3.根据权利要求1的带有静电防护结构的有机电致发光器件,其特征在于,所述非封闭环状结构的导电层为一组连续设置的具有一定间隔的环状金属线条或金属氧化物线条。
4.根据权利要求2或3的带有静电防护结构的有机电致发光器件,其特征在于所述导电层为低电阻金属层或低电阻金属氧化物层。
5.一种带有静电防护结构的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于在基板上制备阳极层或辅助电极层的同时,在基板的边缘制备静电防护部件,所述静电防护部件为非封闭环状结构的导电层,并且非封闭环状结构的两端分别终止在基板上引线邦定区域的两端。
6.根据权利要求5的带有静电防护结构的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于所述导电层为金属层或金属氧化物层。
7.根据权利要求6的带有静电防护结构的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于所述阳极层或辅助电极层和非封闭环状结构的导电层均采用刻蚀的方法制备。
8.根据权利要求7的带有静电防护结构的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于采用刻蚀的方法在基板上制备辅助电极层的同时制备非封闭环状结构的金属层,并且所述辅助电极金属层与非封闭环状结构的金属层为同一种金属。
9.根据权利要求7的带有静电防护结构的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于采用刻蚀的方法在基板上制备阳极层的同时制备非封闭环状结构的金属氧化物层,并且所述阳极层与非封闭环状结构的金属氧化物层为同一种金属氧化物。
10.根据权利要求6的带有静电防护结构的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于所述非封闭环状结构的导电层为具有一定宽度连续设置的环状金属层或金属氧化物层。
11.根据权利要求6的带有静电防护结构的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于所述非封闭环状结构的导电层为一组连续设置的具有一定间隔的环状金属线条或金属氧化物线条。
12.根据权利要求6的带有静电防护结构的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于所述导电层为低电阻金属层或低电阻金属氧化物层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择





