[发明专利]电子系统及其警告装置有效

专利信息
申请号: 200710112211.4 申请日: 2007-06-21
公开(公告)号: CN101329377A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: 陈建桦;魏佳宾;曾伟硕 申请(专利权)人: 台达电子工业股份有限公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 葛宝成;黄小临
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电子 系统 及其 警告 装置
【权利要求书】:

1.一种警告装置,包括:

一隔离电路,其接收及依据一状态信号以产生一调整信号;

一第一使能电路,其与该隔离电路电性连接,并接收及依据该调整信号以产生一第一使能信号;

一第二使能电路,其与该第一使能电路电性连接,并接收及依据该第一使能信号以产生一第二使能信号;以及

一输出电路,其与该第二使能电路电性连接,并接收及依据该第二使能信号以输出一警告信号。

2.如权利要求1所述的警告装置,其中,该隔离电路具有一电容器。

3.如权利要求1所述的警告装置,其中,该状态信号是一脉冲信号或一直流信号。

4.如权利要求1所述的警告装置,其中,该状态信号的频率为200Hz以上。

5.如权利要求1所述的警告装置,其中,该第一使能信号或该第二使能信号具有一低电平或一高电平。

6.如权利要求1所述的警告装置,其中,该第一使能电路更包含:

一第一电阻器,其一端与该隔离电路电性连接,其另一端接地;

一第二电阻器,其一端与一电源电性连接;

一第一晶体管,其一栅极与该第一电阻器的该端电性连接以接收该调整信号,其一漏极与该第二电阻器的另一端电性连接,其一源极接地;以及

一第二晶体管,其一基极分别与该第二电阻器的另一端及该第一晶体管的该漏极电性连接,其一射极接地,其一集极产生该第一使能信号。

7.如权利要求6所述的警告装置,其中,该第一晶体管是一金属氧化物半导体场效晶体管,且该第二晶体管是一双极接面晶体管。

8.如权利要求1所述的警告装置,其中,该第二使能电路是一电阻-电容可调积分器。

9.如权利要求1所述的警告装置,其中,该第二使能电路包括:

一第三电阻器,其一端与一电源电性连接,其另一端与该第一使能电路电性连接以接收该第一使能信号;

一二极管,其一端与该第三电阻器的该另端电性连接;

一第四电阻器,其一端接地;以及

一第一电容器,其一端分别与该二极管的另一端及该第四电阻器的另一端电性连接,以产生该第二使能信号,其另一端接地。

10.如权利要求1所述的警告装置,其中,该输出电路包括:

一第五电阻器,其一端与一电源电性连接;

一第三晶体管,其一栅极与该第二使能电路电性连接以接收该第二使能信号,其一漏极与该第五电阻器的另一端电性连接以产生该警告信号,其一源极接地;以及

一第二电容器,其一端与该第三晶体管的该漏极电性连接,其另一端接地。

11.如权利要求10所述的警告装置,其中,该第三晶体管是一金属氧化物半导体场效晶体管。

12.如权利要求1所述的警告装置,其中,该警告信号具有一高电平或一低电平。

13.如权利要求1所述的警告装置,其中,该隔离电路、该第一使能电路、该第二使能电路及该输出电路是整合在一控制器、一数字控制器、一可程控器或一微处理器中。

14.一电子系统,包括:

一处理器,产生一第一状态信号;

一警告装置,与该处理器电性连接,并接收及依据该第一状态信号及自该电子系统外所得到的第二状态信号,或自该电子系统外所得到的第二状态信号以产生一低电平或高电平的警告信号;以及

一系统装置,分别与该警告装置及该处理器电性连接,以接收及依据该警告信号而产生一控制信号至该处理器。

15.如权利要求14所述的电子系统,其中,该处理器产生该脉冲信号或该直流信号。

16.如权利要求14所述的电子系统,其中,该脉冲信号的频率为200Hz以上。

17.如权利要求14所述的电子系统,其更包括一电子装置,分别与该警告装置及该处理器电性连接,或该处理器电性连接于该电子装置及该警告装置之间,并产生该脉冲信号或该直流信号。

18.如权利要求17所述的电子系统,其中,该电子装置是一风扇装置、一感测装置、一电源供应装置、一通信装置、一平面显示装置、一指示装置或一压力指示装置。

19.如权利要求14所述的电子系统,其中,该处理器是一微控制器或一微处理芯片。

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