[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

通过在被加工膜上进行膜的涂敷、加热硬化，形成由至少一个以上的膜构成的加工用掩模层，并对所述加工用掩模层中的至少一个膜进行硬化处理的加工用掩模层形成工序；

在所述加工用掩模层上涂敷曝光用抗蚀膜，对所述曝光用抗蚀膜进行曝光显影，由此形成抗蚀图，以该上述抗蚀图为掩模蚀刻所述加工用掩模层的加工用掩模层蚀刻工序；

以所述加工用掩模层蚀刻工序中形成的所述加工用掩模层的图案为掩模蚀刻所述被加工膜的被加工膜蚀刻工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述加工用掩模层只是涂敷有机膜并将其加热硬化的有机膜的一层。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述加工用掩模层是含有中间层及涂敷有机膜并将其加热硬化的有机膜的多层膜，所述中间层含有硅氧化物。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述加工用掩模层形成工序中，在所述被加工膜上涂敷及加热硬化下层有机膜，进而在所述下层有机膜上形成含有硅氧化物的中间层，且对所述下层有机膜及所述中间层中至少之一实施硬化处理，

所述加工用掩模层蚀刻工序中，以所述抗蚀图为掩模，蚀刻所述中间层，进而以通过该蚀刻形成的所述中间层的图案为掩模，蚀刻所述下层有机膜，

所述被加工膜蚀刻工序中，以所述加工用掩模层蚀刻工序中形成的所述下层有机膜的图案为掩模，蚀刻所述被加工膜。

5.如权利要求3或4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述中间层形成工序中，涂敷硅倍半氧烷衍生物的聚合物，并将其加热硬化，形成所述中间层。

6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成所述下层有机膜后，对所述下层有机膜实施所述硬化处理。

7.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成所述中间层后，对所述下层有机膜及所述中间层中至少之一实施所述硬化处理。

8.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成所述下层有机膜后，对所述下层有机膜实施所述硬化处理，在形成所述中间层后，对所述中间层实施所述硬化处理。

9.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述硬化处理使用注入规定原子的注入处理。

10.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述硬化处理使用还原性等离子处理。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述还原性等离子处理是使用氢气进行等离子处理。

12.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述硬化处理使用照射UV光或电子束的处理。

13.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述硬化处理通过改变处理条件来调节硬化层的厚度。

14.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述等离子处理通过改变作为处理条件之一的施加在下部电极上的高频电力来调节硬化层的厚度。

15.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述硬化处理通过改变处理条件来抑制自硬化层到所述抗蚀图的反射率。

16.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述下层有机膜的形成、所述中间层的形成、及使用还原性等离子处理或照射UV光的处理的所述硬化处理在同一装置内连续地进行。