[发明专利]具有特殊表面性能的沉淀二氧化硅

权利要求书

1.沉淀二氧化硅，其特征在于它的SiOH_分离吸光度比值大于或等于1。

2.根据权利要求1的沉淀二氧化硅，其特征在于硅烷醇基团密度是0.5-3.5SiOH/nm²。

3.根据权利要求1或2的沉淀二氧化硅，其特征在于改进的振实密度小于或等于70g/l。

4.根据权利要求1和3中任一项的沉淀二氧化硅，其特征在于它具有如下性能：

BET表面积     50-600m²/g

CTAB表面积    50-350m²/g

DBP(无水)     150-400g/100g。

5.根据权利要求1-4中任一项的沉淀二氧化硅，其特征在于体积基粒子分布曲线中5％-100％的粒子小于1μm。

6.根据权利要求1-5中任意一项的沉淀二氧化硅，其特征在于d90数值为不大于0.001至10μm。

7.根据权利要求1-6中任意一项的沉淀二氧化硅，其特征在于粒子分布曲线是双峰的。

8.根据权利要求1-7中任意一项的沉淀二氧化硅，其特征在于烧失量是0.1wt％-3.0wt％。

9.根据权利要求1-8中任意一项的沉淀二氧化硅，其特征在于干燥损失量是0.1wt％-3.0wt％。

10.根据权利要求1-9中任意一项的沉淀二氧化硅，其特征在于pH是4-8。

11.根据权利要求1-10中任意一项的沉淀二氧化硅，其特征在于它是亲水性沉淀二氧化硅。

12.根据权利要求1-11中任意一项的二氧化硅的制备方法，其特征在于该方法包括如下步骤：

1.使至少一种硅酸盐与至少一种酸化剂反应

2.过滤和洗涤获得的二氧化硅

3.干燥获得的二氧化硅或滤饼

4.热处理干燥的二氧化硅。

13.根据权利要求12的方法，其特征在于步骤1包括如下子步骤：

1a制备水或水和至少一种硅酸盐和/或硅酸盐溶液的初始装料，获得的初始装料的pH优选为5-10和初始装料的温度优选为80-100℃，

1b在搅拌条件下于80-100℃将至少一种硅酸盐和/或硅酸盐溶液和至少一种酸化剂计量加入来自子步骤1a)的初始装料直到沉淀悬浮液的固体含量达到如下水平：该水平导致要在子步骤1c)中达到的固体含量，

1c在80-100℃的沉淀悬浮液温度下加入酸化剂，使得沉淀悬浮液的pH下降到2-6和沉淀悬浮液的固体含量在此子步骤结束时是30-70g/l。

14.根据权利要求13的方法，其特征在于对于子步骤1b)阶段而言，pH保持恒定在7-10的水平。

15.根据权利要求12-14中任意一项的方法，其特征在于将二氧化硅在步骤3a中，即在步骤3和4之间，或在步骤5中，即步骤4之后研磨，或既在步骤3a中，即在步骤3和4之间，又在步骤5中，即在步骤4之后研磨。

16.根据权利要求15的方法，其特征在于选择研磨参数使得在体积基粒子分布小于1μm的范围中的研磨的产物具有5％-100％的细粒子分率和/或0.001-10μm的体积基粒子分布曲线中的d90数值。

17.根据权利要求15或16的方法，其特征在于研磨使用喷射磨，优选流体床对冲型喷射磨进行。

18.根据权利要求17的方法，其特征在于流体床对冲型喷射磨采用蒸汽作为操作介质操作。

19.根据权利要求15-18中任意一项的方法，其特征在于研磨通过研磨系统(研磨设备)，优选包括喷射磨的研磨系统进行，和在于在研磨阶段中磨机采用选自如下的操作介质进行操作：气体和/或蒸气，优选蒸汽，和/或包括蒸汽的气体，和在于在加热阶段中，即在采用操作介质的实际操作之前，加热研磨腔使得在研磨腔中和/或在磨机出口的温度高于蒸气和/或操作介质的露点。

20.根据权利要求12-19中任意一项的方法，其特征在于步骤4中二氧化硅的热处理在流化床、流体床或旋转管反应器中进行。