[发明专利]半导体装置及其制法

权利要求书

1.一种半导体装置的制法，包括：

提供包含有多个芯片的晶圆及承载板，该晶圆及该芯片具有相对的主动面及非主动面，该芯片的主动面上设有多个焊垫，且该承载板具有底板及设于该底板上的多个导电线路，以供该晶圆非主动面间隔一绝缘层而与该承载板的底板及导电线路相接合；

于相邻芯片的焊垫间形成多个第一凹槽；

于该第一凹槽内填覆绝缘胶层，并于该绝缘胶层形成第二凹槽，且该第二凹槽深度至少至该承载板上的导电线路位置；

于该第二凹槽处形成金属层，并使该金属层电性连接至相邻芯片的焊垫及该承载板的导电线路；

沿各该芯片间进行切割，使设于该承载板上的各该芯片相互分离，并于该芯片上贴覆第一胶片；

移除该承载板的底板而外露出该导电线路及该绝缘层，以于该导电线路及该绝缘层上贴覆第二胶片；以及

移除该第一胶片，以将各该芯片由该第二胶片上取下，以形成多个半导体装置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制法，其中，该承载板的制法包括：

提供一金属材料的底板；

于该金属底板上形成第一阻层，并令该第一阻层形成有多个外露出该金属底板的开口；

于该开口中电镀形成导电线路；以及

移除该除该第一阻层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制法，其中，该晶圆是预先进行薄化作业后再置于该承载板上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制法，其中，该第二凹槽宽度小于第一凹槽宽度以使部分绝缘胶层覆盖于该芯片侧边，且沿各该芯片间进行切割时的切割位置对应于第二凹槽处，该切割宽度小于第二凹槽宽度，以使部分金属层残留于该芯片主动面边缘及芯片侧边绝缘层上，从而供该芯片通过金属层电性连接其焊垫及导电线路，且该切割深度大于第二凹槽深度，以使相邻芯片间电性分离。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制法，其中，该第二凹槽处的金属层的制法包括：

于该晶圆主动面及第二凹槽表面形成导电层；

于该导电层上形成第二阻层，并令该第二阻层形成有对应该第二凹槽处的开口；

于该第二阻层开口中形成金属层，并使该金属层电性连接至相邻芯片的焊垫及该承载板导电线路；以及

移除该第二阻层及其所覆盖的导电层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制法，其中，该导电层为焊块底部金属层，利用溅镀及蒸镀的其中一方式形成，且其材料为钛/铜/镍、钛化钨/金、铝/镍化钒/铜、钛/镍化钒/铜、钛化钨/镍、钛/铜/铜、钛/铜/铜/镍的其中一者。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制法，其中，该第一胶片及第二胶片的材料为紫外线胶带及蓝带的其中一者，该绝缘胶层的材料为聚酰亚胺，该金属层为铜层及焊锡层与镍层及焊锡层的其中一者，该绝缘层的材料为B-stage的环氧树脂及聚亚酰胺的其中一者。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制法，其中，该绝缘层是先覆盖于该底板及导电线路上而构成承载板的一部分，再供晶圆接置其上。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制法，其中，该绝缘层预先覆盖于该晶圆非主动面上，以供黏置于该承载板的底板及导电路线上。

10.一种半导体装置，包括：

绝缘层，具有相对的顶面及底面；

导电线路，设于该绝缘层底面周围；

芯片，具有相对的主动面及非主动面，以通过其非主动面而接置于该绝缘层顶面上，且于该主动面上形成有多个焊垫；

绝缘胶层，形成该芯片及绝缘层侧边；以及

金属层，设于该芯片主动面边缘及该绝缘胶层侧边，以电性连接该芯片的焊垫及绝缘层底面的导电线路。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，该绝缘层的材料为B-stage的环氧树脂及聚亚酰胺的其中一者，该金属层为铜层及焊锡层与镍层及焊锡层的其中一者，该绝缘胶层的材料为聚酰亚胺。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，该晶圆是经薄化。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，该金属层与该绝缘胶层及该芯片间复包括有导电层。