[发明专利]多端口存储器自我修复电路及方法

权利要求书

1.一种多端口存储器自我修复电路，包括：

一测试分析模块；以及

一瑕疵定位模块，耦接于该测试分析模块；其中

该测试分析模块测试一可修复多端口存储器以产生一错误位置，并根据该错误位置判断该测试是否产生端口相关错误，若该测试产生端口相关错误，则该瑕疵定位模块根据该错误位置产生一瑕疵位置并提供该瑕疵位置至该测试分析模块，该测试分析模块根据该瑕疵位置决定如何修复该可修复多端口存储器，若该测试未产生端口相关错误，则该测试分析模块根据该错误位置决定如何修复该可修复多端口存储器。

2.如权利要求1所述的多端口存储器自我修复电路，其中若该测试分析模块判断该测试产生端口相关错误，则启动该瑕疵定位模块以产生该瑕疵位置。

3.如权利要求1所述的多端口存储器自我修复电路，其中该测试分析模块包括：

一自我测试器，用以测试该可修复多端口存储器以产生该错误位置；以及

一备份组件分析器，耦接于该自我测试器与该瑕疵定位模块，用以根据该错误位置判断该测试是否产生端口相关错误，并根据该瑕疵位置决定如何修复该可修复多端口存储器。

4.如权利要求1所述的多端口存储器自我修复电路，其中该可修复多端口存储器为子阵列组态。

5.如权利要求1所述的多端口存储器自我修复电路，其中，若该错误位置包括同一列的多个连续存储单元，则该测试分析模块判断该测试产生对应一字线瑕疵的端口相关错误，并将所述存储单元的列地址存入该瑕疵定位模块作为一错误列地址；若该错误位置包括同一行的多个连续存储单元，则该测试分析模块判断该测试产生对应一位线瑕疵的端口相关错误，并将所述存储单元的行地址存入该瑕疵定位模块作为一错误行地址。

6.如权利要求5所述的多端口存储器自我修复电路，其中若该端口相关错误对应一字线瑕疵，则该瑕疵定位模块对该可修复多端口存储器执行多个定位步骤以产生该瑕疵位置，所述定位步骤包括：

(e)将一数据字组的反相值写入行地址为一固定行地址而且列地址为一变动列地址的存储单元；

(f)经由该可修复多端口存储器的一第一端口读取行地址为该固定行地址而且列地址为Addr+PD的存储单元，同时经由该可修复多端口存储器的一第二端口读取行地址为该固定行地址而且列地址为Addr+PD的存储单元，其中Addr为该变动列地址，PD为预设整数；

(g)若步骤(f)中经由该第一端口或该第二端口读取的数据不等于该数据字组，则该瑕疵位置包括列地址Addr及Addr+PD；

(h)经由该第一端口读取行地址为该固定行地址而且列地址为Addr的存储单元，同时经由该第二端口读取行地址为该固定行地址而且列地址为Addr+PD的存储单元；

(i)若步骤(h)中经由该第一端口读取的数据不等于该数据字组的反相值，则该瑕疵位置包括列地址Addr+PD；以及

(j)若步骤(h)中经由该第二端口读取的数据不等于该数据字组，则该瑕疵位置包括列地址Addr。

7.如权利要求6所述的多端口存储器自我修复电路，其中所述定位步骤在步骤(e)之前还包括：

(a)设定该固定行地址；

(b)设定该数据字组的所有位为0；

(c)将该数据字组写入行地址为该固定行地址而且列地址为FR-PA至FR+PB的存储单元，其中FR为该错误列地址，PA、PB皆为预设整数；

(d)设定该变动列地址Addr＝FR-PC，其中PC为预设整数；

而且所述定位步骤在步骤(j)之后还包括：

(k)将该变动列地址加一，若该变动列地址小于或等于FR+PE，则重复步骤(e)至(k)，其中PE为预设整数；以及

(l)设定该数据字组的所有位为1，重复步骤(c)至(k)。

8.如权利要求7所述的多端口存储器自我修复电路，其中PA、PB、PC皆为2，PD、PE皆为1。