[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

位于玻璃基片上的基膜；以及

位于所述基膜上的存储器元件和晶体管，

其中所述存储器元件包括：

位于所述基膜上的第一元件区域；

位于所述第一元件区域上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的电荷积累层；

位于所述电荷积累层上的第二绝缘层；以及

位于所述第二绝缘层上的控制栅极电极层，

其中所述晶体管包括：

位于所述基膜上的第二元件区域；

位于所述第二元件区域上的第三绝缘层；以及

位于所述第三绝缘层上的栅极电极层，

其中所述第一元件区域、所述第二元件区域以及位于所述第一元件区域与 所述第二元件区域之间的元件隔离区域被包括在半导体层中，

其中所述元件隔离区域是通过将氧、氮和碳中的至少一种杂质元素添加到 所述半导体层形成的；并且

其中与所述第一元件区域所包括的第一源极和漏极区域，以及所述第二元 件区域所包括的第二源极和漏极区域相比，所述元件隔离区域具有更高的阻 抗。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层的表面 是平面。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极和漏极 区域以及所述第二源极和漏极区域被所述元件隔离区域电隔离开。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述元件隔离区域中 所包括的杂质元素的浓度大于或等于1×10²⁰cm^-3且小于4×10²²cm^-3。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述元件隔离区域的 电阻率大于或等于1×10¹⁰Ω·cm。

6.一种半导体器件，包括：

位于玻璃基片上的基膜；以及

位于所述基膜上的存储器元件和晶体管，

其中所述存储器元件包括：

位于所述基膜上的第一元件区域；

位于所述第一元件区域上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的电荷积累层；

位于所述电荷积累层上的第二绝缘层；以及

位于所述第二绝缘层上的控制栅极电极层，

其中所述晶体管包括：

位于所述基膜上的第二元件区域；

位于所述第二元件区域上的第三绝缘层；以及

位于所述第三绝缘层上的栅极电极层，

其中所述第一元件区域、所述第二元件区域以及位于所述第一元件区域与 所述第二元件区域之间的元件隔离区域被包括在半导体层中，

其中所述第二绝缘层的厚度与所述第三绝缘层的厚度不同，

其中所述元件隔离区域是通过将氧、氮和碳中的至少一种杂质元素添加到 所述半导体层形成的；

其中与所述第一元件区域所包括的第一源极和漏极区域，以及所述第二元 件区域所包括的第二源极和漏极区域相比，所述元件隔离区域具有更高的阻 抗，并且

其中与所述第一元件区域所包括的第一沟道形成区域，以及所述第二元件 区域所包括的第二沟道形成区域相比，所述元件隔离区域具有更低的结晶度。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层的表面 是平面。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极和漏极 区域以及所述第二源极和漏极区域被所述元件隔离区域电隔离开。

9.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述元件隔离区域中 所包括的杂质元素的浓度大于或等于1×10²⁰cm^-3且小于4×10²²cm^-3。