[发明专利]固体摄像装置有效
| 申请号: | 200710101271.6 | 申请日: | 2007-04-20 |
| 公开(公告)号: | CN101060128A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
| 发明(设计)人: | 成濑纯次;田中长孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
1.一种固体摄像装置,
具有多个像素,
各像素包括:
设置于半导体衬底中的、将入射光进行光电转换并积累信号电荷的光电转换元件;
在上述半导体衬底中与上述光电转换元件邻近地设置的、临时积累信号电荷的浮空结;和
将上述光电转换元件中积累的上述信号电荷传输至上述浮空结的传输晶体管,
其中,上述像素的至少一个上述传输晶体管具有以完全地覆盖上述光电转换元件上方的方式延伸设置的栅电极,上述像素的其余的传输晶体管具有不覆盖上述光电转换元件的至少一个栅电极。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征为:
上述多个像素中的上述其余的传输晶体管具有完全地覆盖上述光电转换元件上方的栅电极。
3.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征为:
还具备包含相邻地设置的多个像素的单位单元,上述单位单元内的各像素的上述光电转换元件接收被选择性地限制在不同的波长区域内的入射光。
4.如权利要求3所述的固体摄像装置,其特征为:
以覆盖上述光电转换元件上方的方式设置的上述栅电极的膜厚与入射至该光电转换元件的、被选择性地限制了的入射光的波长对应而不同。
5.如权利要求3所述的固体摄像装置,其特征为:
以覆盖上述光电转换元件上方的方式设置的上述栅电极是根据入射于该光电转换元件的、被选择性地限制了的入射光的波长而选择性地被设置的。
6.如权利要求3所述的固体摄像装置,其特征为:
以覆盖上述光电转换元件上方的方式设置的上述栅电极向共用浮空结的像素的相反侧延伸、与相邻的单位单元的光电转换元件邻接。
7.如权利要求3所述的固体摄像装置,其特征为:
上述多个像素中的至少一个像素的上述传输晶体管具有不覆盖上述光电转换元件上方的栅电极。
8.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征为:
上述栅电极为可透过可见光的导电性材料。
9.一种固体摄像装置,
具有多个像素,
各像素包括:
设置于半导体衬底中的、将入射光进行光电转换并积累信号电荷的光电转换元件;
在上述半导体衬底中与上述光电转换元件邻近地设置的、临时积累信号电荷的浮空结;和
将上述光电转换元件中积累的上述信号电荷传输至上述浮空结的传输晶体管,
其中,上述浮空结通过经由与多个上述光电转换元件对应的上述传输晶体管以由多个上述光电转换元件共用的方式电连接,且
上述像素的至少一个上述传输晶体管具有以完全地覆盖上述光电转换元件上方的方式设置的栅电极,上述像素的其余的传输晶体管具有不覆盖上述光电转换元件的至少一个栅电极。
10.如权利要求9所述的固体摄像装置,其特征为:
上述多个像素中的上述其余的传输晶体管具有完全地覆盖上述光电转换元件上方的栅电极。
11.如权利要求9所述的固体摄像装置,其特征为:
还具备包含相邻地设置的多个像素的单位单元,上述单位单元内的各像素的上述光电转换元件接收被选择性地限制在不同的波长区域内的入射光。
12.如权利要求11所述的固体摄像装置,其特征为:
以覆盖上述光电转换元件上方的方式设置的上述栅电极的膜厚与入射至该光电转换元件的、被选择性地限制了的入射光的波长对应而不同。
13.如权利要求11所述的固体摄像装置,其特征为:
以覆盖上述光电转换元件上方的方式设置的上述栅电极是根据入射于该光电转换元件的、被选择性地限制了的入射光的波长而选择性地被设置的。
14.如权利要求11所述的固体摄像装置,其特征为:
以覆盖上述光电转换元件上方的方式设置的上述栅电极向共用浮空结的像素的相反侧延伸、与相邻的单位单元的光电转换元件邻接。
15.如权利要求11所述的固体摄像装置,其特征为:
上述多个像素中的至少一个像素的上述传输晶体管具有不覆盖上述光电转换元件上方的栅电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





