[发明专利]具有提高的信噪比和探测灵敏度的低聚物探针阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种低聚物探针阵列，包括：

衬底；

在衬底上或在衬底中形成的多个探针单元有源区，该多个探针单元有源区的每一个具有三维表面并与具有其自己序列的至少一个低聚物探针相耦合；以及

限定探针单元有源区，且没有与表面上的低聚物探针相耦合的官能团的探针单元隔离区。

2.权利要求1的低聚物探针阵列，其中该多个探针单元有源区包括能与低聚物探针耦合的官能团，以及

其中，一些官能团被耦合到低聚物探针，以及其他官能团通过封端被去激活。

3.权利要求2的低聚物探针阵列，其中该官能团是选自由羟基、醛基、羧基、氨基、酰胺基、硫醇基、卤基以及磺酸基构成的组的至少一个基团。

4.权利要求1的低聚物探针阵列，其中该多个探针单元有源区是衬底上形成的层的图形，包括通过衬底的局部氧化形成的LOCOS氧化物层，或填充衬底中的沟槽的沟槽型有源区。

5.权利要求4的低聚物探针阵列，其中该探针单元隔离区的表面是硅酮衬底或透明衬底的露出表面。

6.权利要求4的低聚物探针阵列，其中探针单元隔离区的表面是阻挡层的表面，该阻挡层被布置在衬底的上表面上，并具有防止低聚物探针耦合的性能。

7.权利要求4的低聚物探针阵列，其中该探针单元隔离区的表面是填料的表面，该填料被填充到在探针单元有源区之间限定的区域中并具有防止低聚物探针耦合的性能。

8.权利要求4的低聚物探针阵列，其中该探针单元隔离区的表面是阻挡层的表面，该阻挡层被布置在填充到探针单元有源区之间限定的区域中的填料上，并具有防止低聚物探针耦合的性能。

9.权利要求1的低聚物探针阵列，其中该低聚物探针经由连接器耦合到探针单元有源区。

10.权利要求1的低聚物探针阵列，其中通过在每个探针单元有源区中形成的一个或多个沟槽获得三维表面。

11.一种制造低聚物探针阵列的方法，该方法包括：

提供一衬底；

在该衬底上或衬底中形成具有三维表面的多个探针单元有源区，该多个探针单元有源区被探针单元隔离区限定，而没有用于耦合低聚物探针的官能团；以及

将该低聚物探针耦合到多个探针单元有源区，以便每个探针单元有源区耦合具有其自己序列的至少一个低聚物探针。

12.如权利要求11的方法，其中形成多个探针单元有源区包括，形成探针单元有源区以包括能与低聚物探针耦合的官能团，其中，一些官能团被耦合到低聚物探针，以及其他官能团通过封端被去激活。

13.如权利要求12的方法，其中该官能团是选自由羟基、醛基、羧基、氨基、酰胺基、硫醇基、卤基以及磺酸基构成的组的至少一个基团。

14.如权利要求11的方法，其中该多个探针单元有源区的形成包括在衬底上形成层的图形，包括通过衬底的局部氧化形成LOCOS氧化物层，或形成填充衬底中的沟槽的沟槽型有源区。

15.如权利要求14的方法，其中该探针单元隔离区的表面是硅酮衬底或透明衬底的露出表面。

16.如权利要求14的方法，其中该探针单元隔离区的表面是阻挡层的表面，该阻挡层被布置在衬底的上表面上并具有防止低聚物探针耦合的性能。

17.如权利要求14的方法，其中该探针单元隔离区的表面是填料的表面，该填料被填充到在探针单元有源区之间限定的区域中并具有防止低聚物探针耦合的性能。

18.如权利要求14的方法，其中该探针单元隔离区的表面是阻挡层的表面，该阻挡层被布置在填充到探针单元有源区之间限定的区域中的填料上，并具有防止低聚物探针耦合的性能。

19.如权利要求11的方法，其中将低聚物探针耦合到探针单元有源区包括经由连接器将低聚物探针耦合到探针单元有源区。

20.如权利要求11的方法，其中形成多个探针单元有源区的三维表面包括在每个探针单元有源区中形成一个或多个沟槽。