[发明专利]像素结构及其驱动方法无效
| 申请号: | 200710096818.8 | 申请日: | 2007-04-04 |
| 公开(公告)号: | CN101281311A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
| 发明(设计)人: | 许庭彰;王贤军;黄子建 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1362;G09G3/36;G09G3/20 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 左一平 |
| 地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 结构 及其 驱动 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种液晶显示面板(liquid crystal display panel)的像素(pixel)结构,且特别是有关于一种多域垂直配向式(multi-domain verticalalignment,MVA)液晶显示面板的像素结构。
背景技术
现有的液晶显示器多朝向高亮度、高对比、大面积显示与广视角的趋势发展,其中为了改善液晶显示器的视角,已有多种广视角技术被提出。目前较常见的广视角液晶显示器例如有多域垂直配向式液晶显示器、共平面转换式(in-plane switching,IPS)液晶显示器以及边缘电场转换式(fringe fieldswitching,FFS)液晶显示器等等。
图1为现有的一种应用于多域垂直配向式液晶显示器的像素结构的俯视示意图。请参照图1,像素结构100配置于一薄膜晶体管阵列基板上,此像素结构100包括一扫描线110、一数据线120、一薄膜晶体管130、一像素电极140与一配向构件150。其中薄膜晶体管130包括栅极132、半导体层134、源极136a、漏极136b以及接触窗138。栅极132与扫描线110电性连接,而半导体层134配置于栅极132上方。源极136a与漏极136b配置于半导体层134上,其中源极136a与数据线120电性连接。
像素电极140透过接触窗138而与漏极136b电性连接。此外,为了达到液晶分子能够产生多域垂直配向,配向构件150配置于像素电极140上,而在相对的彩色滤光基板(未绘示)上配置多个配向构件(未绘示)。因此,借由配向构件150与配向构件的搭配,可以使得配置于薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板之间的液晶分子呈现多方向的倾倒,进而达到广视角显示的效果。
虽然上述的多域垂直配向式液晶显示器可以增加视角范围,但是,当视角由0度往90度变化时,此多域垂直配向式液晶显示器的光穿透率(transmission)相对于灰阶(gray level)的迦玛曲线(gamma curve)将有所不同。简单而言,随着视角的改变,此多域垂直配向式液晶显示器所提供的画面的色调及亮度分布失真的程度将越明显。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的就是提供一种像素结构,以降低显示品质随着视角改变的程度。
为达上述目的,本发明提出一种像素结构,包括一基板、一扫描线、一数据线、一第一薄膜晶体管、一第一像素电极、一第二像素电极、一第二薄膜晶体管以及一第三像素电极。其中,扫描线、数据线、第一薄膜晶体管、第一像素电极、第二像素电极、第二薄膜晶体管以及第三像素电极皆配置于基板上。第一薄膜晶体管电性连接至扫描线与数据线,且具有一第一漏极,而第一像素电极电性连接至第一漏极。第二像素电极设置于第一漏极上方,并与第一漏极耦接。第二薄膜晶体管电性连接至扫描线与数据线,且具有一第二漏极,而第三像素电极设置于第二漏极上方,并与第二漏极耦接。
在本发明的像素结构中,像素结构更进一步包括一第四像素电极,配置于基板上,并电性连接至第二漏极,而第四像素电极与部分第二共用配线重叠,且配向构件还配置于第四像素电极上。
在本发明的像素结构中,第一像素电极位于第二像素电极与扫描线之间。
在本发明的像素结构中,第四像素电极位于第三像素电极与扫描线之间。
在本发明的像素结构中,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管具有一共用源极。
在本发明的像素结构中,第一像素电极与第二像素电极位于扫描线的一侧,而第三像素电极位于扫描线的另一侧。
本发明的像素结构中,第一像素电极与第二像素电极位于扫描线的一侧,而第三像素电极与第四像素电极位于扫描线的另一侧。
本发明的像素结构中,像素结构还包括一第一共用配线,配置于基板上,且第一像素电极与第二像素电极分别与部分第一共用配线重叠。
本发明的像素结构中,像素结构还包括一第二共用配线,配置于基板上,且第三像素电极与部分第二共用配线重叠。
本发明的像素结构中,像素结构还包括多个配向构件,配置于第一像素电极、第二像素电极与第三像素电极上,而上述配向构件包括凸起物或狭缝。
为达上述目的,本发明提出一种像素结构的驱动方法,其适于驱动上述的像素结构。此驱动方法包括下列步骤。首先,先经由扫描线开启第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管。接着,经由数据线将一数据电压输入至第一像素电极,此时,第二像素电极经由第一漏极产生感应电压,第三像素电极则经由第二漏极产生感应电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司,未经中华映管股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710096818.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





