[发明专利]再分布金属线及再分布凸点的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种再分布金属线及再分布凸点的制作方法。

背景技术

晶片级封装(Wafer Level Chip Scale Package，WLCSP)是一种可以使芯片面向下贴装到印刷电路板上的CSP封装技术，晶片的焊点通过独立的锡球焊接到印刷电路板的焊盘上，不需要任何填充材料。这种技术的第一个优点是集成电路到印刷电路板之间的电感很小，第二个优点是缩小了封装尺寸和生产周期并提高了热传导性能。

在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求，凸点的尺寸不仅越做越小，而且分布也越来越密集。申请号为03140656的中国专利申请文件提供了一种微细间距倒装焊凸点电镀制备技术，能够满足焊球边间距50μm以上，焊球直径在50μm至300μm的要求，但是，在晶片级封装中，连接点的分布更加密集，因此，需要对用于形成凸点的连接点进行再分布，避免过多的凸点互相接触导致凸点之间短路。所谓的凸点再分布就是将晶片上做好的需要形成连接点的开口重新进行分布，转移至晶片的其它位置，并形成凸点，以实现凸点的合理分布。

在对凸点再分布的过程中，由于再分布金属线的质量直接影响再分布凸点的电性能及可靠性，因此一定要保证再分布金属线的完整。

现有在再分布凸点工艺中，对于再分布金属线的制作参考图1至图4，如图1所示，晶片10在进入凸点制作工艺之前，晶片10上已经完成钝化层11和焊盘12的形成工艺，其中，钝化层11形成有开口，焊盘12位于钝化层11的开口处，凸点就形成在焊盘12之上。为了将连接点进行再分布，需要将连接点下的焊盘以及钝化层的开口进行再分布，将进行再分布的焊盘和钝化层以及钝化层开口称为再分布结构。

参考附图2所示，在焊盘12以及钝化层11上形成第一绝缘层13，所述第一绝缘层13的材料为苯并环丁烯树脂(Benzocyclobutene，BCB)，之后，在所述第一绝缘层13上形成第二开口16，第二开口16的位置与焊盘12的位置相对应。

参考附图3所示，用溅镀法在第一绝缘层13上以及第二开口16内形成金属层18，所述金属层18的材料为铜铬合金或铜钛合金；用旋涂法在金属层18上形成光刻胶层19，经过曝光显影工艺，形成再分布金属线图形；用电镀法在金属层18上的再分布金属线图形内形成再分布金属线14，所述再分布金属线14为铜，再分布金属线14延伸至再分布凸点的位置，其中电镀再分布金属线14所用的电流密度为4.5ASD(安培/平方分米)～5.0ASD。

参考附图4所示，湿法刻蚀法去除光刻胶层19，其中为了使后续刻蚀金属层18过程中，保证再分布金属线14表面不因湿法刻蚀溶液腐蚀而变粗糙，在电镀完再分布金属线14后，去除光刻胶层19前，晶片10在线上等待时间不超过2小时；用铜刻蚀溶液刻蚀再分布金属线14以外的金属层18至露出第一绝缘层13，在去除光刻胶层19后，刻蚀金属层18之前，晶片10在线上等待时间不超过2小时，目的是为了控制刻蚀完后再分布金属线表面的粗糙程度。

现有技术虽然以缩短晶片在线上的等待时间来改善再分布金属线表面由湿法刻蚀溶液腐蚀造成的粗糙问题，但是由于每一批次有25片晶片组成，一片晶片在工艺线上等待时间为1.5小时～2小时，过短，为生产工艺不允许。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种再分布金属线及再分布凸点的制作方法，延长晶片在工艺线上的等待时间。

为解决上述问题，本发明提供一种再分布金属线的制作方法，包括：提供表面具有钝化层的晶片，钝化层具有第一开口，焊盘位于第一开口内，所述钝化层及焊盘上形成有带露出焊盘的第二开口的第一绝缘层；在第一绝缘层上及第二开口内形成金属层；在金属层上形成光刻胶层，定义再分布金属线图形；在再分布金属线图形内电镀再分布金属线，其中，电镀时的电流密度保证在后续刻蚀金属层时再分布金属线表面精细且各工艺步骤之间有足够的等待时间；去除光刻胶层后，刻蚀再分布金属线以外的金属层。

可选的，所述电流密度为1.0ASD～4.0ASD。

可选的，所述最大等待时间为4小时～16小时。

可选的，定义再分布金属线还包括步骤：将光掩模版上的待曝光再分布金属线经过曝光工艺转移至光刻胶层上；经过显影工艺，在光刻胶层上形成露出金属层的再分布金属线图形。