[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

形成在绝缘衬底上的半导体层，并且在所述半导体层和所述绝缘衬底之间插入有前端绝缘层，其中在所述前端绝缘层中包含有与所述绝缘衬底中包含的相同种类的杂质，从而使得杂质浓度从所述绝缘衬底表面朝向所述半导体层以每1nm 1/1000倍或者更小的平均速率降低，并且其中所述杂质是硼、铝、包含硼的物质或者包含铝的物质，

其中，所述杂质浓度在所述前端绝缘层的位于距离所述绝缘衬底的所述表面100nm或者更远的区域中为10¹⁹原子/cm³或者更小。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述前端绝缘层的其中所述杂质浓度从所述绝缘衬底的表面朝向所述半导体层以每1nm 1/1000倍或者更小的平均速率降低的区域是位于距离所述绝缘衬底的所述表面100nm或者更近的区域。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述前端绝缘层的其中所述杂质浓度从所述绝缘衬底的表面朝向所述半导体层以每1nm 1/1000倍或者更小的平均速率降低的区域至少被形成在栅极电极下。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述杂质是硼或者所述包含硼的物质，其被包含在所述前端绝缘层中使得硼的浓度以每1nm1/10000倍到1/1000倍的平均速率降低。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述杂质是铝或者所述包含铝的物质，其被包含在所述前端绝缘层中使得铝的浓度以每1nm1/10000倍到1/1000倍的平均速率降低。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，硼浓度和铝浓度是通过二次离子质谱法计算出的。

7.一种用于制造半导体器件的方法，其中在所述半导体器件中，半导体层被形成在绝缘衬底上，并且在所述半导体层和所述绝缘衬底之间插入有前端绝缘层，所述方法包括：

在所述绝缘衬底上形成所述前端绝缘层的过程，所述前端绝缘层包含有与所述绝缘衬底中包含的相同种类的杂质，从而使得杂质浓度从所述绝缘衬底表面朝向所述半导体层以每1nm 1/1000倍或者更小的平均速率降低，其中所述杂质是硼、铝、包含硼的物质或者包含铝的物质，

其中所述方法还包括控制使得所述杂质浓度在所述前端绝缘层的位于距离所述绝缘衬底的所述表面100nm或者更远的区域中为10¹⁹原子/cm³或者更小的过程。

8.如权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，还包括在位于距离所述绝缘衬底的所述表面100nm或者更近的区域中形成所述前端绝缘层的其中所述杂质浓度从所述绝缘衬底的表面朝向所述半导体层以每1nm1/1000倍或者更小的平均速率降低的区域的过程。

9.如权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，还包括至少在栅极电极下形成所述前端绝缘层的其中所述杂质浓度从所述绝缘衬底的表面朝向所述半导体层以每1nm 1/1000倍或者更小的平均速率降低的区域的过程。

10.如权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，还包括使硼或者所述包含硼的物质被包含在所述前端绝缘层中使得硼的浓度以每1nm1/10000倍到1/1000倍的平均速率降低的过程。

11.如权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，还包括使铝或者所述包含铝的物质被包含在所述前端绝缘层中使得铝的浓度以每1nm1/10000倍到1/1000倍的平均速率降低的过程。

12.如权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，其中硼浓度和铝浓度是通过二次离子质谱法计算出的。